第2章薄膜制备的化学方法.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 溶液镀膜技术——LB法制膜技术 LB薄膜每层分子的亲水基指向基片表面 溶液镀膜技术——LB法制膜技术 LB薄膜每层分子的亲水基与亲水基相连，亲油基与亲油基相连 溶液镀膜技术——LB法制膜技术 制膜技术和装置 水槽 刮膜板 表面压传感器 提膜装置 溶液镀膜技术——LB法制膜技术 LB薄膜的特点 优点： LB薄膜中分子有序定向排列，这是一个重要特点； 很多材料都可以用LB技术成膜， LB膜有单分子层组成，它的厚度取决于分子大小和分子的层数； 通过严格控制条件，可以得到均匀、致密和缺陷密度很低的LB薄膜； 设备简单，操作方便。 溶液镀膜技术——LB法制膜技术 缺点： 成膜效率低， LB薄膜均为有机薄膜，包含了有机材料的弱点； LB薄膜厚度很薄，在薄膜表征手段方面难度较大。 溶液镀膜技术——LB法制膜技术 LB薄膜的应用 LB技术可以把一些具有特定功能的有机分子或生物分子有序定向排列，使之形成某一特殊功能的超薄膜，如有机绝缘薄膜、非线性光学薄膜、光电薄膜、有机导电薄膜等。它们有可能在微电子学、集成光学、分子电子学、微刻蚀技术以及生物技术中得到广泛应用。 LB薄膜电子束敏感抗蚀层有可能成为超高分辨率微细加工技术的一个发展方向。 有机非线性光学材料具有非线性极化效率高，不易被激光损伤，制备方便等特点，LB技术为有机非线性材料应用提供了重要途径。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子回旋共振等离子体沉积系统，包含等离子室和沉积室。等离子体室接受频率为2.45GHz的微波，微波由微波源通过波导和石英窗导入，两个共振磁线圈安放在等离子体室外壁用于电子回旋等离子体激发，电子回旋共振在875G磁场下发生，从而获得高度激活的等离子体。 在这一沉积系统中，离子从等离子体室中被萃取出来而进入沉积室并流向基片而成膜。 在沉积SiN膜时，N2被引入到等离子体室，SiH4被引入到沉积室。而在沉积SiO2时，O2被引入到等离子体室。 直流等离子体化学气相沉积系统中，可用CH4和H2作反应气体，在Si片上长金刚石薄膜。 压力为26.7kPa的反应气体CH4+H2通过阴极引入反应室，水冷阳极位于阴极上方，基片安装在阳极上，阳极与阴极的距离为2cm，CH4/H2比率由0.3%变到4%，但流量固定在20mL/s，基片温度为800℃（温度可由冷凝水调节）。 在中空阴极等离子体化学气相沉积系统中，可凝聚团簇由通过中空阴极流过的气体带向基片，最后凝聚。 图（a）是一等离子体二极管装置，电极为一筒状，由不锈钢制成，并用压缩O环密封。以沉积a-Si:H为例，未稀释的SiH4气体以一定的流量流入真空室。从中空阴极到垂直阴极筒40mm处放置基片，薄膜沉积在接地且温度保持在230℃的基片上。 图（b）中的同轴电极装置可用于沉积非晶SiN。阳极是由接地的外筒构成，并在电极间的环形空间中流有屏蔽气体。 有两种不同的气体流动方式沉积SiN膜：一是N2通过中心筒流入，而Ar和SiH4气体保持在环状空间中。另一种是对于SiH4使用一附件气体入口，使其远离基片架，而N2和Ar以与前面相同的方式流入。 利用SiH4的脉冲感应放电生长a-Si的装置如图所示。脉冲等离子体由通入70kA的电流的螺旋线圈激发产生，放电管充满SiH4/Ar混合气，薄膜沉积在与放电管相垂直的基片上。 电场增强PECVD系统中，除了感应耦合射频场外，还加上了与射频场相独立的纵向直流电场。频率为13.56MHz的射频源感应耦合到反应器上。石英反应器中包含有两个平行的、作为电极的金属片，其中一个作为基片。 溶液镀膜是指在溶液中利用化学反应或电化学反应等化学方法在基片表面沉积薄膜的技术。 溶液镀膜技术不需要真空条件，设备仪器简单，可在各种基体表面成膜，原料易得，在电子元器件、表面途覆和装饰等方面得到广泛应用。 ★ 化学反应沉积 ★ Sol-Gel技术 ★ 阳极氧化技术 ★ 电镀技术 ★ LB技术 第3节 溶液镀膜技术 溶液镀膜技术——化学镀膜 ★ 化学镀膜 化学镀膜 化学镀膜是指在还原剂的作用下，使金属盐中的金属离子还原成原子，在基片表面沉积的镀膜技术，又称无电源电镀。化学镀不加电场、直接通过化学反应实现薄膜沉积。 化学镀膜与化学沉积镀膜的区别： 化学镀膜的还原反应必须在催化剂的作用下才能进行，且沉积反应只发生在基片表面上。 化学沉积