自旋电子元件(新spin-fet)跟基础跟运用探究.pdfVIP

自旋電子元件(Spin-FET)之基礎與應用研究 張慶瑞 台大物理系 簡介 由於超薄磁性膜的製程與性質的突飛猛進，巨磁組(GMR)在1988年在多層 磁性膜中被發現。起初，工業應用研究均集中在高密度讀取磁頭的研發上，但很 快的便認知也可以應用再隨機存取記憶體(MRAM)上，目前Motorola已經提供選 定的元件廠4M的 MRAM，並宣稱2005年底將在手機上使用MRAM。磁性邏輯 元件也是目前業界積極研發的方向，Spin-FET自從Datta-Das 提出想法後，立即 有許多實驗出現，但在磁性與半導體介面間過低的自旋注入率是磁性邏輯元件最 大的困難。然而最近世界中的研究顯示運用自旋的自由度來製作電子元件是必然 的趨勢，而自旋電子元件也將是新一代的元件，但其成熟將有賴於半導體與磁性 專家的共同合作與努力。 自旋電子元件研發團隊: 材料製作與物性量測: 許仁華(物理系), 張顏暉(物理系),徳(物理系), 梁啟 元件設計與製作:許仁華(物理系), 張顏暉(物理系),徳(物理系), 李嗣涔 梁啟 (電機系) 理論分析: 張慶瑞(物理系) 近期成果 (1)鐵磁/InAs/鐵磁 自旋元件(張慶瑞) 利