半导体器件物理复习指导纲要.pdfVIP

半导体器件物理复习指导纲要 说明：1. 《半导体器件物理复习指导纲要》（以下简称《纲要》）是为 吉林大学电子科学与工程学院本科生准备《半导体器件物理》课程的 学期末考试所提供的参考资料。 2. 《纲要》也可作为吉林大学微电子学与固体电子学专业攻读 硕士学位研究生入学考试参考资料。作为研究生入学考试将出现百分 之五～百分之十的更高能力考察题，这些题可能出现也可能没 有出现在 《纲要》中。 3. 本科生的学期末考试将不考察《纲要》中所出现的“更高能 力考察题” （※题）。 4.试题可能在《纲要》原题基础上略加变化。 5.○题—自《纲要》发布起两年内两年（含当年）不考试。 6. 为适应不断深入的教学改革的需要，《纲要》的内容可能每年 有所变化。变化将在国家精品课程《半导体器件物理与实验》网站《论 坛》中通知。 7. 《纲要》仅为参考资料，错误之处请谅解并欢迎指正。 吉林大学电子科学与工程学院 孟庆巨 复习内容 一． 基本概念与问题解释 二． 主要理论推导与命题证明 三． 主要图、表 四． 重要习题解答 五． 更高能力考察问题（包括※题） 参考资料 一. 孟庆巨 刘海波 孟庆辉著《半导体器件物理》 科学出版 社 2005.1 第一次印刷～2007.3 第三次印刷 二．学生课堂笔记 三. 《半导体器件物理学习指导》孟庆巨编 吉林大学国家精 品课程网站－半导体器件物理 四.学生作业 五.历年期末试题 六．历年吉林大学微电子学与固体电子学专业攻读硕士学位 研究生入学试题及复试试题 第二章 PN 结 一．基本概念与问题解释（37 个） PN 结 同质结 异质结 ○同型结 ○异型结 ○高低结 金属-半导体 结突变结 线性缓变结 单边突变结 空间电荷区 中性区 耗尽区 耗 尽近似 势垒区 少子扩散区 扩散近似 正向注入 反向抽取 正偏复 合电流 反偏产生电流 隧道电流 产生隧道电流的条件 隧道二极管 的主要特点 过渡电容(耗尽层电容) 扩散电容 等效电路 反向瞬变 电荷贮存 贮存电荷 隧道击穿 雪崩击穿 临界电场 雪崩倍增因子 雪崩击穿判据 利用热平衡费米能级恒定的观点分析 PN 结空间电荷区的形成。 从载流子扩散与漂移的角度分析 PN 结空间电荷区的形成。 根据载流子扩散与漂移的观点分析 PN 结的单向导电性。 写出边界条件公式（2-29），（2-30），说明 PN 结的正向注入和反向抽 取作用。 解答：1.教材 2. 学习指导。 二．理论推导与命题证明（12 个） 1 推导公式（2-7）即证明 PN 结空间电荷区内建电势差为 N N ψ ψ =−ψ V ln d a 0 n p T 2 n i 方法1：教材P59推导方法 方法 2 ：热平衡时净电子电流为零即 ∂n ( =+ ε) I n qA Dn nun 0 ∂x 方法 3.热平