半导体器件的命名方法.docVIP

半导体器件的命名方法 1．中国半导体器件的命名法 根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表 表2-15? 国产半导体器件的型号命名方法 第一部分 第二部分 第? 三? 部? 分 第四部分 第五部分 用数字表示器 件的电极数目 用汉语拼音字母表示 器件的材料和极性 ? 用汉语拼音字母表示器件的类别 用数字表示 器件序号 用汉语拼音字 母表示规格号 符号 意 义 符号 意? 义 符号 意????????????????? 义 ? ? 2 二极管 A B C D N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P型硅材料 P V W C Z L S N U K 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 ? ? 3 三极管 A B C D E PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 X G D A U K 低频小功率管（fT＞3MHz,PC＜1W） 高频小功率管（fT≥3MHz,PC＜1W） 低频大功率（fT≤3MHz,PC≥1W） 高频大功率（fT≥3MHz,PC≥1W） 光电器件 开关管 ? ? ? ? ? ? I Y B J 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 ? ? ? ? ? ? CS BT FH PIN JG 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 ? ? ? ? 例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。 2. 美国半导体器件命名法 根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。 表2-16? 美国半导体器件型号的命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示器件的等级 用数字表示PN结数目 用字母表示材料 用数字表示器件登记序号 用字母表示同一器件的不同档次 符号 意? 义 符号 意??? 义 符号 意?? 义 符号 意? 义 符号 意? 义 ?J 军品 1 二极管 ? N 表示不加热即半导体器件 2～4位 数字 登记顺序号 A、B、 C… 表示器件改进型 无 非军品 ? 2 三极管 3 四极管 ? 例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。 3．日本半导体器件命名法 日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。 ? 表2-17? 日本半导体器件命名法 第一部分 第 二 部 分 第? 三? 部? 分 第? 四? 部? 分 第? 五? 部? 分 用数字表示器件的电极数目 用字母表示半导体器件 用拉丁字母表示 器件的结构和类型 用2～3位数字表示器件登记顺序号 用拉丁字母表示同一种型号器件的改进型 符号 意? 义 符号 意?? 义 符号 意?? 义 ? ? 0 光电器件 ? S ? 半导体器件 A 高频PNP型三极管快速开关三极管 1 二极管 2 三极管 B 低频大功率PNP管 3 有三个PN结 的器件 C 高频及快速开关NPN三极管 D 低频大功率NPN管 F P控制极可控硅 G N控制极可控硅 H N基极单结管 J P沟道场效应管 K N沟道场效应管 M 双向可控硅 ? 例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。 4．欧洲半导体器件命名法 由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。 表2-18? 欧洲半导体器件命名法 第一部分 第? 二? 部? 分 第? 三? 部? 分 第 四 部 分 用字母表示器件使用的材料 用字母表示器件的类型及主要特性 用数字或字母加数字表示登记号 用字母表示对同一型号器件的改进 符号 意义 符号 意???? 义 符号 意????? 义 符号 意?? 义 符号 意 义 ? A ? 锗材料 ? A 检波二极管、开关二极管、混频二极管 ? P ? 光敏器件 ? 三 位 数 字 ? 代表半导体器件的登记序号 （同一类型器件使用一个登记号） A B C D E 表示同一型号的半导体器件在某一参数方面的分档标志 B 硅材料 ?B 变容二极管 Q 发光器件 C 砷化镓 C 低频小功率三极管 R 小功率可控硅 D 锑化铟 D 低频大功率三极管 S 小功率开关管 R 复合材料 E 隧道二极管 T 大功率可控硅 ? ? F 高频小功率三极管 U 大功率开关管 一个字母 二位 数字 代表专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用一个登记号） ? ? G 复合器件、其他器件 X 倍增二极管 ? ? H 磁敏二极管 Y 整流二极管 ? ? K 霍尔器件 Z 稳压二极管 ? ? L 高频大功率三极管 ? ? ? 补充说明：欧洲半导体器件型