各向同性刻蚀b.ppt

* Micro-System 湿法刻蚀技术 a．各向同性刻蚀 b．各向异性刻蚀 LIGA工艺 牺牲层技术 硅的各向同性刻蚀 (湿法) 湿法刻蚀是微系统中材料去除技术的一种，尤其在体硅去除上占据重要地位。硅的湿法刻蚀是先将材料氧化，然后通过化学反应使一种或多种氧化物溶解。在同一刻蚀液中，由于混有各种试剂，所以上述两个过程是同时进行的。这种氧化化学反应要求有阳极和阴极，而刻蚀过程没有外加电压，所以半导体表面上的点便作为随机分布的局域化阳极和阴极。由于局域化电解电池作用，半导体表面发生了氧化反应并引起相当大的腐蚀电流(有报导超过100A/cm2). 每一个局域化区(大于原子尺度)在一段时间内既起阳极又起阴极作用。如果起阳极和起阴极作用的时间大致相等，就会形成均匀刻蚀，反之，若两者的时间相差很大，则出现选择性腐蚀。半导体表面的缺陷、腐蚀液温度和腐蚀液所含的杂质，以及半导体-腐蚀液界面的吸附过程等因素对腐蚀的选择性和速率多会有很大的影响。 用于这种化学腐蚀的试剂很多，但是最常用的是HF-HNO3腐蚀系统，因为它可以避免金属离子的玷污。 ? ? 各向同性刻蚀的原理 对于HF、HNO3和H2O(或IPA，即异丙醇)刻蚀液，硅表面的阳极反应为 Si+2e+ Si 2+ 这里e+表示空穴，即Si得到空穴后从原来的