图差分放大电路即.ppt

* * 结型场效应管 JFET的结构和工作原理 二、 工作原理 栅极与N沟道构成PN结，在N沟道栅极周围形成耗尽层。 (1) VGS对i D的影响 当VGG ? 0，即反向偏置，PN结耗尽层加宽，N沟道变窄； 当?VGG? 加大到一定值?VGG???VP?，N沟道被夹断，i D =0， 此时漏-源极间电阻??。?VP?——夹断电压。 (2) VDS对i D的影响 VGD = VG S - VD S = VP ，预夹断 ！ VGS =0，g连s。d,s加电压，此时g,d反偏。 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅