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76 《激 孙吉勇等：基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析 光杂志》20Or7年第28卷弟5期 LASERJ0uRNAL(Vo1．28．№．5．2007) 基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析 孙吉勇，陈伟民，谢圆圆，章 鹏 (重庆大学光电技术及 系统教育部重点实验室，重庆 4ooo44) 提要：本文提出了一种基于MEMS的LED芯片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装ELD芯片的反射腔。分析了反射腔 对 ELD的发光强度和光束性能的影响，分析结果表明该反射腔可以提高芯片的发光效率和光束性能；讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效 率之间的关系。最后设计了封装的工艺流程。利用该封装结构可以降低芯片的封装尺寸 ，提高器件的发光效率和散热特性。 关键词：光电；发光二极管；封装；微机电 中图分类号：删 ．94 文献标识码：A 文章编号：0253一 43(20o7)05—0076—02 OpticalanalysisofL皿 packagebasedonMEMStechnology SUNJi—yong。CHENWei—min。XIEYuan—yuan。ZHANGPeng (TheKeyLaboratoryforOptoelectronicTechnology＆System，EducationMinistryofChina，ChongqingUniversityIChongqing4OOO44IChina) Abstract：Onepackagemethodof LEDchipbasedonMEMStechnologyispro0o~ lIareflectorformedbybulksiliconetchingisusedforEL Dchip．Th ein- fluenceof suchreflectoronEL D’Sopticalintensityandopticaldivergenceisanaly~ ，alsohterelationshipof htereflector’Sstructurewiht EL D Slightintensity isinduced．Finallyhtepackageartisdesigned． Keywords：Optoelectronic；EL D；Package；MEMS． 经过几十年的发展 ，LED性能已经得到了极大的进步 ， (b)。由于这种结构没有反射腔，其发光效率很低；该结构存 由于它具有发光效率高，体积小，寿命长等优点 ，，将成为 在的另一个问题是PCB的导热性能很差，例如FR4的导热系 新一代照明光源，被人们公认为是继白炽灯之后照明领域的 数只有0．3W／k。这将会限制高亮度 ELD的工作功率。而随 又一次重大革命。目前 ELD已经在照明、装饰、显示和汽车 着电子产品集成度的不断提高，对小尺寸 ELD的封装产品需 等诸多领域得到了广泛的应用 ，而其应用前景和应用领域还 要越来越大。因此本文提出了一种结合 MEMS工艺的硅基 在被不断的开发和扩展。在ELD的产业链中，封装是十分重 ELD芯片封装技术 ，它具有封装尺寸小的优点，同时解决了 要的一个部分 ，它决定着 ELD芯片的光 、热、寿命和二次配光 直接将芯片贴装在PCB上而引起的发光效率低、热阻高的缺 等特性。LED最初的封装形式主要是如图1的T1和 T1—3／ 点。文章首先讨论了反射腔对ELD芯片发光效率的影响，对 4。随着芯片发光功率的提高，以及应用领域的扩大，其原有 反射腔的结构参数与ELD发光效率之间的关系进行了详细 的封装结构无论是在散热，还是在集成度上都不再能满足 的分析，最后设计了封装工艺流程。 ELD不断发展的需要。伴随着电子封装技术的不断发展，表 LED芯片 面贴装(S~rr)封装技术开始成为ELD封装技术的主流，基于