拉丝是将已制得的光纤预制棒直径缩小.ppt

（二）光纤制造工艺;;1. 工艺方法分类;改进的化学汽相沉积法MCVD (Modified Chemical Vapour Deposition）;SiCl4 + O2 → SiO2 + 2Cl2 GeCl4 + O2 → GeO2 + 2Cl2 气态 气态 固态 气态;MCVD工艺的关键技术;MCVD工艺的优缺点：;等离子体汽相沉积法PCVD  (Plasma Chemical VapourDeposition);PCVD工艺的关键技术;PCVD工艺的优缺点：;外汽相沉积法(OVD)Outside Vapour Deposition;OVD工艺的关键技术：;外汽相沉积法(OVD)Outside Vapour Deposition;OVD工艺的优缺点：;轴向化学气相沉积法(VAD)  Vapour phase Axial Deposition;VAD工艺的关键技术：;VAD工艺的优缺点：;;“两步法”的两个显著特点在于： （1）光纤预制棒的光学特性主要取决于芯棒制造技术； （2）光纤预制棒的成本主要取决于外包层技术。因此，芯棒制造技术和外包层技术共同决定着光纤预制棒制造工艺的技术水平、经济效益。 由于外包层工艺可以直接降低光纤的成本，因而各厂家都在研究用最低成本而回报最高的包层工艺。 ;预制棒外包层工艺所追求的技术指标是芯与外包层直径的比例，不是芯直径或者外包层直径，但是，其中经过的这些结构和尺寸的变化对于控制增加了复杂性。 ;二、套管预制棒新技术;传统RIT与RIC-ODD工艺比较：;由上面两个图可以得出以下结论： ◆ RIC-ODD不需要拉管工序，节约材料，节约工时； ◆ RIC-ODD套筒经过机械加工，椭圆度、偏振度、弯曲度、等几何精度都比拉出的管子好。 ◆ RIC预制棒尺寸大，节约材料、节约工时、有利于高速拉丝。 ◆ 不必先把套管与芯棒熔缩在一起，节约材料，节约工时。;三、粉末外包层法;粉末外包层法与套管法: 它的一大优势就是可以根据不同芯棒的芯径和相对折射率差来沉积适当厚度的外包层，满足光纤传输对模场直径和截止波长的要求，不受套管尺寸规格的限制。 除此之外，以芯棒为中心的圆对称沉积，通过调节喷灯位置和预制棒的移动方式，可有效地控制沉积的均匀性等，也可以使光纤的同心圆和纵向均匀性都得到改善。 当前的粉末外包工艺已经采用了计算机控制，整个沉积过程按预先编制的工艺程序软件，通过计算机实时监测沉积质量，达到设定质量即自动停止沉积。 ;四、等离子体外包层技术;热源是大气压状态的高频等离子气体; 等离子体喷涂工艺的外包层工艺以高纯天然石英粉为原料，要选择粉末密度、粒度，使其能在几毫秒内迅速熔化，还要考虑能够有效地将粉末送到等离子体并不被等离子体湍流所分散，以达到高沉积速率和效率。热源是大气压状态的高频等离子体。工作气体是过滤后的空气或氧气。工作频率3.4MHz，功率40～100kW，在高频感应下，管内的气体电离，形成等离子体，看起来像喷灯喷出的火焰。被喷涂的芯棒安装在卧式玻璃车床上，边旋转边往复平移。等离子体火焰朝向芯棒，与其纵轴垂直。以控制的速率将石英粉输入火焰，石英粉立即熔融并喷射到芯棒外表面，形成纯净透明的石英玻璃外包层。等离子体火焰的温度极高，约10000℃，这种高温可把石英粉中的杂质气化，使石英粉进一步得到纯化。经过多层喷涂，可得到70～80mm的大直径预制棒。沉积之后，等离子体抛光，除去表面冷凝的细微粉末。;等离子体外包层法与粉末外包层法比较： 1. 等离子体喷涂是采取激光测径技术直接监测外包层直径，监测信号反馈到平移机构，控制平移速度，保证获得所设计的外包层直径及其纵向一致性。 粉末外包层工艺是采取监测沉积质量来控制工艺过程的。 2. 等离子体喷涂工艺所沉积的是完全致密化的透明玻璃，工艺控制所监测的外包层直径实际上是最终要求的指标。 粉末外包层技术沉积的是疏松质半烧结态二氧化硅粉，其最终直径取决于疏松质的体密度；并且，在经过脱水-烧结工艺完全致密化以后，不仅其直径收缩，并且在长度方向，包括芯棒在内也一起缩短。显然，与初始情况相比，芯材料的直径变大了，而设计所依据的是初始情况的芯直径。 ;富通开发成功的低水峰光纤预制棒 ;;光纤拉丝;; 光纤直径控制原理 已知在正常状态，若预制棒的馈送速度为V送，光纤的拉丝速度为V拉,预制棒的外径为D，裸光纤的外径为d。 熔化前的棒体容积： [π× (D/2）2](V送× t) 等于熔化拉丝后光纤的容积： [π ×(d/2）2](V拉× t) 化简??关系： V拉=V送 × (D /d)2 ;预制棒的预处理;拉丝塔工艺控