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第一章 晶体二极管和二极管整流电路 学习要点 1．了解半导体的基本知识：导电机理；种类；PN结；特性。 2．掌握晶体二极管（PN结）的单向导电特性。 3．了解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 4．掌握单向整流电路的组成、工作原理及主要参数的分析计算 教学难点 1．晶体二极管（PN结）的单向导电特性。 2．单向整流电路的分析计算。 第一节 半导体的基本知识 一、物质的分类 按照导电能力，物质可分为导体、绝缘体和半导体三大类。 （一）导体 容易传导电流的物质为导体，如电缆的线芯所使用的铜、铝等金属。 （二）绝缘体 能够可靠地隔绝电流的物质为绝缘体，如电缆的包皮所使用的橡胶、塑料等。 （三）半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。常见的材料如硅(Si)或锗(Ge)。 图 图1-1 半导体的两种载流子 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子。如图1-1所示。 三、半导体的种类 （一）本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅（Si）或本征锗（Ge）。本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 （二）杂质半导体 为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。根据掺杂的物质不同，可分两种： 1．P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体，如P型硅。其中，多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 2．N型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。 图1-2 图1-2 PN结 将P型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起，形成PN结。 1．N型和P型半导体之间的特殊薄层叫做PN结。如图1-2所示。 2．PN结具有单向导电特性。即：P区接电源正极，N区接电源负极，PN结导通；反之，PN结截止。PN结是构成电子元件的基本单元。 五、半导体的特性 （一）掺杂性 在纯净半导体中掺入微量的杂质元素，则它的导电能力大大增强。利用掺杂半导体可以制造各种半导体器件。 （二）热敏性 温度升高，将使半导体的导电能力大大增强，例如，硅在200℃时的导电能力要比一般室温时增加几千倍，利用半导体对温度十分敏感的特性，可以制造自动控制中的常用的热敏电阻及其热敏元件。 （三）光敏性 对半导体照射时，光照越强，导电能力越强，利用半导体的光敏性，可以制造光敏元件和光敏开关，从而实现自动控制。 第二节 晶体二极管及其单向导电特性 一、晶体二极管 (a (a) (b) 图1-3 晶体二极管外形和符号图 如图1-3(a)所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 （二）图形、文字符号 如图1-3(b)所示，晶体二极管的图形符号由三角形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表示负极。V为晶体二极管的文字符号。 二、晶体二极管的单向导电性 图 图1-4 [例1-1]电路图 （一）正极电位＞负极电位，二极管正偏； （二）正极电位＜负极电位，二极管反偏。 即二极管正偏导通，反偏截止，这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1-1] 图1-4所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？ 解 由电路图可知，开关S闭合后，只有二极管V1正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H1指示灯发光。 第三节 晶体二极管的伏安特性 一、晶体二极管的伏安特性定义 图1-5 图1-5 测试二极管伏安特性电路 二、测试电路：如图1-5所示。 三、伏安特性曲线：如图1-6所示。 四、特性分析 （一）正向特性 1．正向电压VF小于门坎电压VT时，二极管V截止，正向电流IF =0； 其中，门槛电压 图1-6 二极管伏安特性曲线2．VF???VT时，V导通，I 图1-6 二极管伏安特性曲线 结论：正偏时电阻小，具有非线性。 （二）反向特性 反向电压VR???VRM(反向击穿电压)时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR???VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压VRM称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。 第四节 二极管的分类、型号和参数 图1-7 二极管图形符号 一、分类 （一）按材料分：硅管、锗管； （二）按PN结面积分：点接触型(电流小，高频应用)、面接触型(电流大，用于整流)； （三）按用途分：如图1-7所示， 例如利用单向导电性把交流电变成直流电的整流二极管；利用反向击穿特性进行稳压的稳压二极管；利用反