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3.2 压阻式传感器 3.2.1 半导体应变片 3.2.2 压阻式传感器 返回 1 3.2.1 半导体应变片 1．半导体材料的压阻效应 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的现象称为半导体 材料的压阻效应。 对于长l ，截面积S，电阻率的条形半导体应变片，在轴 向力F作用下 R     12     E   L L R   应变灵敏系数 R / R  /    K 12   E B L   式中，E — 半导体应变片材料的弹性模量；  — 半导体晶体材料的纵向压阻系数，与晶向有关。 L 2 2 ．单晶体材料的晶向 图3- 17 晶体物质的晶向 为便于描述单晶体的晶向，采用图3- 17所示密勒指数法， 将晶向表示成三位由0或1组成的数字，并加方括号表示。 按要求方式进行切割，按不同晶向得到半导体材料的 、 L E、K 并列入表中查阅。 B 3 (1) 体形半导体应变片的结构形式 如图3- 18所示 图3- 18 体型半导体应变片的结构形状 4 (2) 扩散硅应变片的结构形式 如图3- 19所示 图3- 19 压阻式压力传感器 5 (3) 半导体电阻应变片的测量电路 直流电阻电桥电路，但须采用温度补偿措施，如 图3-20所示 图3-20 温度补偿电路 6 3.2.1 压阻式传感器 利用半导体材料的压阻效应，在一定晶向的晶片上利用集成电路工艺 技术扩散制作应变电阻和测量电路，称为扩散硅压阻式传感器或固态 压阻式传感器。 1. 压阻式压力传感器 图3-21 压阻式压力传感器