第1章二极管及其电路02.pptVIP

模拟电子技术Analog Electronics 计算机与信息学院 冯继宣 loveteacher9@m 办公室:7205 《模拟电子技术》是信息工程、计算机、 电子等学科的专业基础课，是一门极其 重要的课程，它直接影响同学们对硬件 的深入学习，对后续课程《微机原理》、 《接口技术》、《单片机原理》、 《计算机网络》、《嵌入式系统》 等有很大的影响。 绪论 1.信号信息（消息） 2.模拟信号数字信号 3.模拟电路数字电路 学分：3.0 采用教材：《电子技术基础》 清华大学出版社 要求：每人准备一个笔记本 章节介绍 模拟电子技术 半导体二极管及其电路 晶体三极管 单级、多级放大电路 集成运算放大电路及应用 负反馈放大电路 直流稳压电路 课程安排（单、双周） 一次理论课， 一次讨论课 一次实验课 成绩评定原则： 平时成绩40%： 出勤+作业20%，实验20% 期末闭卷考试 60% 学 习 资 源 麻省理工开放式课程 /OcwWeb/Electrical-Engineering-and-Computer-Science/6-101Introductory-Analog-Electronics-LaboratoryFall2002/CourseHome/index.htm 大学课程在线 / 如何利用网络资源 1、学院图书馆 /first.asp 2、网络搜索 如只查找 *.ppt, *.doc 文档 1.1.1 半导体的导电特性 1.本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 现以硅原子为例：每个硅原子最外层的4个价电子分别和周围4个硅原子的价电子形成共用电子对，构成共价键结构，如图1-1所示。 本征半导体中有两种载流子：自由电子载流子和空穴载流子。 本征半导体中的共价键具有很强的结合力，常温时仅有极少 数价电子由于温度变化获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子；同时在共价键相应位置处留下一个空位，称为空穴。如图1-2所示。（本征激发） 2. 杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质元素，其导电 性能会得到改善。 按照掺入元素的不同可分为：N型半导体和P型半导体。 N型半导体：在本征半导体中掺入+5价元素，如磷（P）等; 显示负性：negative N P型半导体：在本征半导体中掺入+3价元素，如硼（B）等 显示阳性：positive, P 1.1.2 PN结及其单向导电性 利用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同 一个半导体硅片上，在P型半导体和N型半导体的交界面就 形成了PN结。 PN结的形成过程如图1-5： 两种运动： 扩散运动 漂移运动 二极管 Diode 正极正向箭头导通； 负极垂直，不通 Rectifiers - how would you do it?  整流器 Rectifiers Rectifiers：全波整流 + RC 滤波 3. PN结的伏安特性 Diode Impedance 阻抗 半导体二极管是由PN结的P区和N区分别引出两根电极引 线，并加上管壳封装而成，简称为二极管。二极管的外形、 结构、符号如图1-9所示。 按构成二极管的材料划分：硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。 按照结构划分：点接触型二极管、面接触型二极管和平面 型二极管。 按照用途划分：整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。 按照功率划分：大功率二极管、中功率二极管和小功率二 极管。 1.2.2 二极管的伏安特性及主要参数 1．二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线分为3部分： （1）正向特性。 （2）反向截止特性。 （3）反向击穿特性。 随着环境温度的增加，二极管的正向特性曲线将左移，反向 特性曲线将下移。温度升高时，二极管的反向电流将增大， 温度每增加10℃，反向电流增加一倍；温度升高时，二极管 的正向压降将减小，温度每增加1℃，正向压降将减小 2~2.5mV。 1.2.3．二极管的主要参数 （1）最大整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流，该值与PN结面积和散热条件有关。使用时正向平均电流不能超过此值，否则会烧坏二极管。 （2）最大反向工作电压UR：指二极管正常工作时所能承受的最大反向电压，超过此值时，二极管有可能因反向击穿而被损坏。通