GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法.pdf

ICS 29. 045 H 80 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 1554—2009 代替 GB/T 1554— 1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques 2009-10-30 发布 2010-06-01 实施 发布 GB/T 1554—2009 -1.Z- —1— 刖 弓 本标准代替GB/T 1554— 1995 《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》。 本标准与GB/T 1554— 1995相比，主要有如下变化： ——增加了 “本方法也适用于硅单晶片”； ——增加了 “术语和定义” 、“干扰因素”章； —第4章最后一句将 “用肉眼和金相显微镜进行观察”修改为 “用目视法结合金相显微镜进行 观察”； -将原标准中 “表1四种常用化学抛光液配方”删除，对化学抛光液配比进行了修改，删除了乙酸 配方；并将各种试剂和材料的含量修改为等级；增加了重量比分别为50%Cr （人和10%Cr（）3 标准溶液的配比；增加了晶体缺陷显示常用的腐蚀剂对比表 ；依据SEMI MF1809-0704增加 了几种国际上常用的无锯、含锯腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表； —第9章将原GB/T 1554— 1995中 “（111）面缺陷显示” 中电阻率不小于0. 2 Q ・cm的试样腐 蚀吋间改为了 10 mi 〜15 mi ；气100）面缺陷显示中电阻率不小于0. 2 Q • cm的试样和电 阻率小于0. 2 Q • cm的试样腐蚀时间全部改为10 min~15 mi ； 增加了（110）面缺陷显示；增 加了对重掺试样的缺陷显示；在缺陷观测的测点选取中增加了 “米”字型测量方法。 本标准的附录A为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。 本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB 1554— 1979.GB/T 1554— 19950 GB 4057 —1983 o T GB/T 1554—2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 1范围 本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为 〈111〉 、〈100〉或 〈110〉 、电阻率为IO-3 Q • cm〜10 Q • cm 、位错密度在 0 cm~2 〜IO： cm 2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。凡是不注日期的引用文件，