GB/T 1557-2018硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法.pdf

ICS 77.040 H 17 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 1557—2018 代替 GB/T 1557—2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption 2018-09-17 发布 2019-06-01 实施 发布 GB/T 1557—2018 ■ r ■ —— 刖 弓 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 1557-2006（ （硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》 ，与GB/T 1557-2006 相比，除编辑性修改外主要技术变化如下： -范围中增加了 “以低温红外设备测试时，氧含量 （原子数）的测试范围从0.5X1015 cm-”到硅中 间隙氧的最大固溶度” （见第1章）。 -在规范性引用文件中增加了 GB/T 4059 、GB/T 4060,GB/T 29057.GB/T 35306（见第 2 章）。 -在方法提要中增加了低温红外光谱仪的测试原理，并明确 “低温傅里叶变换红外光谱仪测试硅 单晶中氧含量的具体内容见GB/T 35306 ”（见第4章）。 -在干扰因素中增加了多晶、测试环境、样品位置、测试设备对测试结果的影响（见5.1、5.8 、5.9、 5.10）。 -将扣除参比光谱后样品的透射光谱在1 600 cm-1处的透射率由T00%±0.5%”改为 “100%土 5% ”（见 5.4,2006 年版 5.3）0 -删除了沉淀氧浓度较高时，1 230 cm-处的吸收谱带对测试结果的影响 （见2006年版5.5）。 -将“6. 3千分尺”修改为“6.3厚度测量设备” ，修改设备精度大于0.01 mm （见6.3,2006年版 6.3）0 -将“6.4热电偶-毫伏计”修改为“6.4温度测量设备热电偶-毫伏计或其他适用于测试样品 室温度的设备” （见6.4,2006年版6.4）。 ——增加“6.5湿度测试设备湿度计或其他适用于测试环境湿度的设备” （见6.5）0 ——将设备检查中的抛光片厚度由0.065 cm改为0.085 cm （见8.2.5,2006年版8.2.5）0 -将“表面处理”修改为 “在测试之前,应保证样品表面无氧化物” ，删除了 “用HF腐蚀去除表面 的氧化物” （见8.3,2006年版3）。 -将“厚度测量”修改为 “测量被测样品和参比样品的厚度 。两者中心的厚度差应小于 ±0.5%” （见 8.4,2006 年版4）。 ——将绘制透射谱图列为资料性附录 （见附录A,2006年版7）。 ——根据试验情况，修改了精密度（见第10章,2006年版第11章）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/T 203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/T 203/S 2）共同提出并归口。 本标准起草单位:新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、宜 昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公