砷化铟量子点的光电性质.doc

PAGE ■PAGE 1■ 物理雙月刊（廿五卷三期）2003年6月 砷化銦量子點的光電性質 文／詹國禎 摘　要 零維的量子點具有三維侷限的載子及δ函數形式的能態密度，對高效能的光電子元件提供材質與結構的新研發方向。砷化銦成長在砷化鎵磊晶層上的量子點可用以製造1.3 μm或1.55 μm的雷射，並應用於長距離的光纖通訊。初步已証實可藉著量子點大小、被覆層成分及雷射元件設計而可產生1.3 μm雷射光，但高品質的長晶方法與機制，以及量子點內載子的能階、生命期與溫度的相關性，仍未充分瞭解。本文主要針對砷化銦量子點的成長、結構與光學特性，給予系統性的評述。 一、量子點發展史簡介 自一九七○年代至今，低維度半導體量子結構的研究已有三十年之歷史，而Ⅲ-Ⅴ族量子井結構的電子或光電元件也已實際商品化。由於低維度的一維電子侷限構造，使得高速的電子元件或高效能的發光/感測元件得予實現。西元一九八二年，Sakaki教授指出量子點(quantum dot；QD)具有三維電子侷限及δ函數形式的能態密度，並對於量子點雷射的效能諸如低臨界電流、高溫度特性，以及高輝光效率等做出理論上的預測[1]。然而當時量子點製作以光蝕刻術為主，不容易得到品質良好、奈米尺度的量子點，雖量子尺寸效應的實驗結果一如理論上所預言，可是量子點雷射元件仍未被實現。 西元一九九四年，Marzin研究群運用砷化銦／砷化鎵異質結構層間晶格不