第2章 80C51结构及原理x.ppt

单片机原理及应用 第2章 80C51结构及原理 2.1 80C51系列概述 2.1.1 MCS-51系列 （1）MCS-51是Intel公司生产的一个单片机系列名称。属于这一系列的单片机有多种，如： （2）该系列生产工艺有两种： （3）在功能上，该系列单片机有基本型和增强型两大类： （4）在片内程序存储器的配置上，该系列单片机有三种形式，即掩膜ROM、EPROM和ROMLess(无片内程序存储器)。如： 2.1.2 80C51系列 2.2 80C51的基本结构与应用模式 2.2.1 80C51的基本结构 2.2.2 80C51的应用模式 一、总线型单片机应用模式 二、非总线型单片机应用模式 非总线型单片机已经将用于外部总线扩展用的I/O口线和控制功能线去掉，从而使单片机的引脚数减少、体积减小。对于不需进行并行外围扩展，装置的体积要求苛刻且程序量不大的系统极其适合。非总线型单片机典型产品如： AT89C2051/AT89C4051。 2.3 80C51典型产品资源配置与引脚 2.3.1 80C51典型产品资源配置 由表可见： （1）增强型与基本型在以下几点不同： （2）片内ROM的配置形式： 2.3.2 80C51的引脚封装 2.4 80C51的内部结构 二、80C51的片内存储器 在物理上设计成程序存储器和数据存储器两个独立的空间（称为哈佛结构）： 三、80C51的I/O口及功能单元 四、80C51的特殊功能寄存器（SFR） 2.4.2 80C51的时钟与时序 2.4.3 80C51单片机的复位 2.5 80C51的存储器组织 2.6 80C51的并行口结构与操作 2.6.1 P0口、P2口的结构 2.6.2 P1口、P3口的结构 2.6.3 并行口的负载能力 思考题与习题 1、80C51在功能、工艺、程序存储器的配置上有哪些种类？ 2、80C51的存储器组织采用何种结构？存储器地址空间如何划分？各地址空间的地址范围和容量如何？在使用上有何特点？ 3、80C51的P0~P3口在结构上有何不同？在使用上有何特点？ 4、80C51晶振频率为12MHz，时钟周期、机器周期为多少？ 5、80C51复位后的状态如何？复位方法有几种？ 6、80C51的片内、片外存储器如何选择？ 7、80C51的PSW寄存器各位标志的意义如何？ 8、80C51的当前工作寄存器组如何选择？ 9、80C51的控制总线信号有哪些？各信号的作用如何？ 10、80C51的程序存储器低端的几个特殊单元的用途如何？ P1口由一个输出锁存器、两个三态输入缓冲器和输出驱动电路组成。输出驱动电路与P2口相同，内部设有上拉电阻。 P1口是通用的准双向I/O口。输出高电平时，能向外提供拉电流负载，不必再接上拉电阻。当口用作输入时，须向口锁存器写入1。 二、 P3口的结构 1、P3用作第一功能（通用I/O口） 对P3口进行字节或位寻址时，单片机内部的硬件自动将第二功能输出线的W置1。这时，对应的口线为通用I/O口方式。 输出时，锁存器的状态（Q端）与输出引脚的状态相同； 输入时，要先向口锁存器写入1，使引脚处于高阻输入状态。输入的数据在“读引脚”信号的作用下，进入内部数据总线。 P3口作为通用I/O口时，属于准双向口。 2、P3用作第二功能使用 当CPU不对P3口进行字节或位寻址时，内部硬件自动将口锁存器的Q端置1。这时，P3口作为第二功能使用。 P3.0 ：RXD（串行口输入）； P3.1 ：TXD（串行口输出）； P3.2 ： 外部中断0输入； P3.3 ： 外部中断1输入； P3.4 ：T0（定时器0的外部输入）； P3.5 ：T1（定时器1的外部输出）； P3.6 ： （片外数据存储器“写”选通控制输出）； P3.7 ： （片外数据存储器“读”选通控制输出）。 P0、P1、P2、P3口的电平与CMOS和TTL电平兼容。 P0口的每一位口线可以驱动8个LSTTL负载。在作为通用 I/O口时，由于输出驱动电路是开漏方式，由集电极开路（OC门）电路或漏极开路电路驱动时需外接上拉电阻；当作为地址/数据总线使用时，口线输出不是开漏的，无须外接上拉电阻。 P1、P2、P3口的每一位能驱动4个LSTTL负载。它们的输出驱动电路设有内部上拉电阻，所以可以方便地由集电极开路（OC门）电路或漏极开路电路所驱动，而无须外接上拉电阻。 由于单片机口线仅能提供几毫安的电流，当作为输出驱动一般的晶体管的基极时，应在口与晶体管的基极之间串接限流电阻。 一、复位电路 复位目的是使单片