GB/T 14030-1992半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理.pdf

躅621* 6沙 £30 中华人民共和国国家标准 GR/T 1 4030-92 半导体集成电路时基电路 测试方法的基本原理 General principles of measuring methods of tinier circuits for semiconductor integrated circuits 1 992-1 2-1 8 发 1 993-08-01 实施 国彖技术监骨局发 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路时基电路 测试方 法的基 本原理 gb/t 14030-92 General principles of meu^urinj; me(h<»d!* of timer circuits for semiconductor integrated circuiG 本际准规宦r半导体袒成电克时基电殆 （以下简称器件或时基电路）电签釵赳试方法的基本原理. 时星电路与CMOS电路怡同的静占移数和动态寒数测试可爭■照GB 3834（半导体黄成电9ft CMOS 电路测试方法的基本廉理》. 1总的要求 1 1若无特殊说明，利试期何•歼境裁孝苦M沮度偏庵理壬值的范08应符合務件洋细放范的规定. 1.2酗试期间•旅干被测器件的电憲旺应符合器件详绍奴范的现定. 1-3测试期I可，应避免外悍干扰对渕试笹度的的咆 。漢试设备引起的测试谋蛙应杆合號件讦墳规范的 规定. 1-4被冏器件与團试系统连按戎斯开时 ，不应超过器件的使用极限条件。 15若有老求时,应按器件详地规范规住的妝序接通电源’ 1-6測试期I可，被洵器件应连播站件详细段范£1定的外帼电路和补僕网络" 1.7若电多歆值是由几步测试的结果经计H而确定时•这些糕试的时间间隔应尽可能短. 1.8本床准的冬歌定义按如下规丘的K伎衣给出 ，如岐测我件与本規定不符合时•可对测试电路进行 枫应的谓鄴. 引出绷名评 复也命 引岀用符号 TH TR RES OUT X X L L X L H H H H li H 农中丄为低电平，H为高电平・X为任意电平＜ 2奏数测试 21夏位电压卩 2-1-1目的 在签件输出电压为低电”时，测试•复位端炖加的血埠输入电压。 2・1・2聞试康再图 vM测试原用图见图1. 国貳技术监常局1 992- 1 2-1 8批准 1993-08-01 实旅 GB T 14030-92 2-13测试条件 测试期间.卜列雋试条件应符合盟件详细觀范的规定， a 环境诅度； b 电康电压. 2-1-4側试糅序 2.1-41将数履器件搖入测试系统中. 21-4 2接通电潦・ ?. 14 3独发端接池•在复位端接输入电乐匕，调节□，便输池电压Vo«?转为飲电平时•谱取输人电 压匚值，即为H 2-2复位电汛儿 2- 21目的