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摘要
摘要
近些年来，功率集成电路得到了越来越多的关注。通过将高压功率器件与低压控制电路以及各种保护
on
电路集成到一块芯片上，可以有效降低系统成本，提高系统可靠性。超薄绝缘体上硅技术(Silicon
Insulator,
SOD相对体硅及厚膜绝缘体上硅技术具有一系列优势，比如隔离工艺简单且可靠，寄生效应小，少子器
Insulated
件的开关速度高，可集成高压功率器件。集成在超薄SOI上的横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral
Gate
Bipolar
缺憾是相对厚膜S01．LIGBT，超薄SOI．LIGBT的电流能力有较大的降低。
Power
Module，IPM)的拥有大电流密
本文主要设计出一种可以应用于单芯片智能功率模块(Intelligent
述了超薄SOI结构器件设计技术。在此基础上，首先对器件基本二维结构进行设计优化，利用器件耐压、
阈值电压、开态电流、抗闩锁性能之间的折中关系选择二维结构与工艺参数。接着通过将P阱分为多个独
立的多边形模块，提出一种三维多沟道超薄SOI．LIGBT改进结构，利用三维器件仿真模拟其电流特性、耐
压特性、抗闩锁特性以及关断特性，并与传统结构进行对比分析，基于上述二维与三维设计结果得到一组
多沟道结构优化设计参数，对比设计指标与模拟结果。最后简要分析了器件制造的工艺流程，绘制版图并
流片测试。
Sentaurus软件仿真结果显示：相对传统结构，多沟道结构器件单位面积电流能力提高了150％以上，
且器件其他性能没有明显退化。部分电学特性测试结果如下：关态击穿电BV为709V，阈值电压‰为2．42V，
统中预定的设计指标。
关键词：智能功率模块，超薄绝缘体上硅，绝缘栅双极型晶体管
Abstract
andmoreattentioninrecent
Power hasattractedmore years．By
integratedcircuit@IC)technology
both deviceandlow control inthesame system
higllvoltagepower voltage logicpart chip，reduced
integrating
costsandincreased withbulkandthickfilmsilicononinsulator silicon
reliability．Compare technology,Ultra-thin
alot as：theisolationis andhas
oninsulator has
technologyofadvantages，such easyimplementedgoodreliability,
less for carrier devicescarlbe
effects，fastswitchingspeedminority device，highv
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