第二章 双极型晶体管.pptxVIP

第二章 双极型晶体管 ;;§2.1 晶体管基本结构;2.基本类型;3.晶体管制造与掺杂分布 ;xje;§2.2 晶体管直流放大机理(npn);2.载流子输运过程;3. 电流(载流子)输运关系;C. 通过基极的电流; D. 结 论 IE = InE + IpE IC = InC + ICBO IB =IpE + IVB - ICBO IVB = InE - InC IE = IB+ IC;;2. 共射极电流放大系数---β0表示;3. 其它电流关系;;A.晶体管具有电流放大能力，须具备三个条件： ＮE(x)＞＞ＮB(x)---使发射效率γ尽可能接近于１； wb Lnb---使基区输运系数β* 接近于１； 发射结正偏，集电结反偏---使载流子从发射区渡越至收集区 B.晶体管共基极电流放大系数α0（可以）接近于１; C.共射极电流放大系数β0一般远大于１； D.输入阻抗低，输出阻抗高，有足够大的电压和功率放大能力。;§2.3 均匀基区晶体管直流伏安特性方程;;;2. 电流密度: ;pe(x)∣x=∞ = pe(∞) = pne;三、集电区少子浓度及电流分布 ;四、电流-电压方程 (适合于各种偏置);# 特性方程物理意义：;§2.4 均匀基区晶体管输出短路电流放大系数;;#方块电阻物理意义;;§2.5 缓变基区晶体管直流放大系数;; ;;三、基区输运系数 ;四、输出短路电流放大系数 ;作业;§2.6 晶体管直流放大特性分析 ;2.共射极:;;Early(厄利)电压;三、发射结空间电荷区复合-小电流放大系数低的机理 载流子在发射结空间电荷区内的复合是小电流时放大系数小的主要原因。 ;四、大注入效应-大电流电流放大系数下降的机理 大注入：发射区注入基区的非平衡少子浓度nb(x)接近甚至超过基区多子浓度的现象。 大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，即三个效应，分别称为 1.基区电导调制效应； 2.有效基区扩展效应； 3.发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。这里将它们统称为大注入效应。 大注入效应通常发生在工作电流密度高的功率晶体管中。;1.基区电导调制效应 ;2.有效基区扩展效应 定义：大电流密度下，晶体管有效基区宽度随注入基区电流(载流子) 密度的增大而展宽，这种现象称为晶体管有效基区扩展效应，又称kirk效应。 ;基区扩展效应;3.发射结电流集边效应 定义：发射结电流密度从发射结（横向）中心到发射结边缘逐渐增大的现象。;※发射结电流根部集中效应 ;※三个效应关系;五、大注入效应控制;※大注入自建电场 定义：基区非平衡多子扩散形成引起电场，称为大注入自建电场。 大注入自建电场对渡越基区的少子产生加速作用，但该作用效果被基区扩展效应所屏蔽； 缓变基区晶体管，基区自建电场是基区掺杂和非平衡载流子引起的电场迭加； 注入基区的非平衡载流子浓度远高于掺杂浓度时，基区自建电场将主要由非平衡载流子决定。在这样条件下，缓变基区晶体管与均匀基区晶体管基区自建电场趋于相同，它们的特性也趋于一致。;作业: 1.试解释发射效率、基区输运系数的物理意义； 2.试简述放大状态晶体管内部载流子的输运过程； 3.试简述晶体管电流放大系数与其结构参数的关系； 4.试解释晶体管电流放大系数与工作电流间的曲线。 5.对npn晶体管，若WbLnb,WELpE 试写出：IE=? IC=? ;§2.7 晶体管频率特性;发射界交流电压下降，信号迟后；发射结交流电压下降，信号仍迟后。;# 充电时常数分析：;四、晶体管交流输出短路电流放大系数 ;τee= re（CTe+CTc） ;五、频率特性与器件结构关系 ;§2.8 晶??管开关特性;二、饱和开关特性分析;;§2.9 异质结晶体管;一、能带结构：;一、异质发射结电流注入比 ;三、异质结晶体管特性 1 .共射极输出短路电流放大系数;异质结晶体管基区高掺杂，即使基区非常窄，仍然可以 大大减小基区电阻；所以最高振荡频率fmax将明显增大。;2.特征频率 ;;4.其它特性;四、异质结晶体管技术 ;2.GaAs基异质结晶体管--AlxGa1-xAs;作业： 1.试叙述晶体管交流载流子输运过程及电流放大系数下降的 机理； 3.试叙述HBT交直流特性好的根本原因，并简要说明其特征 频率fT 与最高振荡频率高的机理。 ;xje;二、晶体管载流子输运过程;2.交流;三、放大能力分析;2. 共射极电流放大系数---β0表示;四、I-V方程求解思路;五、特性曲线