复合材料工艺及设备完整版.pptVIP

* http://www.3s.hmg.inpg.fr/mme/Fr/Moyenstechniques/hip/sommaire/imag/hip_schema.gif 文库专用 * 反应烧结与其他烧结工艺相比，其主要特点： ①反应烧结时，质量增加； ②烧结坯件不收缩，尺寸不变； ③物质迁移过程发生在长距离范围内，反应速度取决于传质和传热过程； ④液相反应烧结液相和固相间发生化学反应。 文库专用 * 9.3.4 连续纤维增强陶瓷基复合材料生产工艺 1.概述 优点：耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高硬度、韧性高、可机械加工等。 连续纤维增强陶瓷基复合材料所用的增强纤维主要有Al2O3纤维、SiC纤维、Si3N4纤维和碳纤维等，所用基体材料主要有Al2O3陶瓷、 SiC陶瓷和 Si3N4陶瓷等。 文库专用 * 2. 连续纤维增强陶瓷基复合材料生产工艺 使用最多的工艺方法有：化学气相沉积法（CVD法）、化学气相渗透法（CVI法）、直接熔融氧化法(LANXIDE法）和溶胶－凝胶与有机聚合物先驱转化法（有机聚合物高温裂解法）。 文库专用 * （1）化学气相沉积法CVD(Chemical Vapor Depositon) C纤/SiC气相沉积原理图示 它是将连续纤维（或晶须）制成预成型坯体，而后置于化学气相沉积炉内，通过高温条件下的气相反应形成复合材料基体物质沉积，填充于骨架纤维中，从而直接获得陶瓷基复合材料制品。 文库专用 * （2）化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) CVI法是在CVD法基础上发展起来的； CVI法主要有六种，最具代表性的为等温CVI法（ICVI）和热梯度强制对流CVI法（FCVI） 文库专用 * 原理：利用CVD的原理，设法使气相物质在加热的纤维表面或附近发生化学反应，形成基体物质沉积于骨架纤维中，从而获得陶瓷基复合材料制品。 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 以在1200 - 1400 K的温度下制备SiC陶瓷基复合材料为例： CH3Cl3Si(g) + H2(g) SiC(s) + 3HCl(g) + H2(g) 有的时候还可以用原料气，如氧化铝基体复合材料的制备，在 950 - 1000 ℃和 2～3 kPa 的压力下: H2(g) + CO2(g) H2O(g) + CO (g) 2AlCl3(g) + H2O (g) Al2O3(s) + 6 HCl(g) 2AlCl3(g) + 3H2(g) + 3CO2(g) Al2O3(s) + 3CO(g) + 6HCl(g) 文库专用 * ICVI工艺又称静态法，是将被浸渍的预制件放在等温室中，反应物气体通过扩散渗透到多孔预制件中，发生化学反应并沉积，反应副产物气体也通过扩散逸出； 由于传质过程主要通过气体扩散进行，沉积过程缓慢，且只限于薄壁部件； 为了提高复合材料的致密度，沉积过程中要对部件进行表面加工，以恢复沉积速度。 文库专用 * 文库专用 * (热梯度强制对流CVI) FCVI法的原理是通过迫使气体流动和建立温度梯度来避免浸渍孔隙的堵塞。 具体实现为:在预制件内施加一个温度梯度，同时施加一个反向的气体压力梯度，迫使反应气体强行通过预制件。在低温区不发生反应，在高温区发生反应并沉积。 可以制作厚壁部件，但由于设备和模具的限制，不适于制作形状复杂的部件。 文库专用 * 文库专用 * 利用气体与基体的反应合成制备陶瓷基复合材料的方法有CVD(Chemical Vapor Depositon)和CVI(chemical vapor infiltration或chemical vapor impegnation)。二者的主要差异在于前者的析出的场所是基体的表面，而后者的析出的场所是基体(预成形体)的内侧。 气相的化学反应 文库专用 * CVD和CVI 文库专用 * CVI 工艺的优点： 适用于很多种类的陶瓷基体与增强纤维，可制备硅化物、碳化物、氮化物、硼化物、氧化物等多种陶瓷基复合材料； 可以在较低温度下制备复合材料，材料内部残余应力低，纤维几乎不受损伤； 可制备大尺寸、复杂形状和近净形的部件； 制备的复合材料在高温下仍有好的机械性能。 缺点： 速度慢、成本高、材料致密度低（孔隙率10～15％） 文库专用 * 3. 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 工艺步骤： 制备陶瓷基体组元溶胶； 加入增强相（颗粒、晶须、纤维等）并使其均匀分布于溶胶中； 得到稳定均匀分布有增强相的陶瓷基体组元凝胶；