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导电材料的分类 按导电机理可分为：电子导电材料和离子导电材料两大类。 电子导电材料包括导体、超导体和半导体： 离子导电材料的导电机理源于离子的运动，由于离子的运动速度远小于电子的运动速度，因此其电导率较小，目前最高不超过102 S/m ，一般在100 S/m以下。 导体电阻率公式 导体材料的种类 导体材料按照化学成分主要有以下三种： （1）金属材料。电导率在107~108 S/m之间； 银（6.63× 107 S/m ）、铜（5.85× 107 S/m ）和 铝 （3.45× 107 S/m ） （2）合金材料。电导率在105~107 S/m之间； 黄铜（1.60× 107 S/m ）， 镍铬合金（9.30× 105S/m ） （3）无机非金属材料。电导率在105~108 S/m之间。 石墨在基晶方向为2.5×106 S/m。 导体材料的应用 金属导体材料主要用作：电缆材料、电机材料、导电引线材料、导体布线材料、辐射屏蔽材料、电池材料、开关材料、传感器材料、信息传输材料、释放静电材料和接点材料等，还可以作成各种金属填充材料和金属复合材料。 合金导体材料主要用作电阻材料和热电偶材料，如铂铑-铂热电偶等。 非金属导体材料主要用作耐腐蚀导体和导电填料。 2.1 半导体材料 (一) 基本概念 当大量原子结合成晶体时（如，1019个原子大约可形成1mm3的晶体), 由于相邻原子电子云相互交叠，对应于孤立原子中的每一能级都将分裂成有一定能量宽度的能带。 (2) 带隙 Band Gap 能带之间的区域 (5) 空带 Empty Gap 价带上面的能带 导体的能带中都有末被填满的价带，在外电场的作用下，电子可由价带跃迁到导带，从而形成电流。 绝缘体的能带结构是满带与导带之间被一个较宽的禁带所隔开，在常温下几乎很少有电子可以被激发越过禁带，因此其电导率很低。 半导体能带结构下面是价带，其价带是充满了电子，因此是一个满价带。上面是导带，而导带是空的。 满价带和空导带之间是禁带，其禁带宽度比较窄，一般在1ev左右。价带中的电子受能量激发后，如果激发能大于Eg，电子可以从价带跃迁到导带上，同时在价带中留下一个空的能级位置--空穴。 (二)、半导体的导电机理 半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。 二、典型半导体材料及其应用 (一)、元素半导体 元素半导体 本征半导体广泛研究的元素是Si、Ge和金刚石。金刚石可看作是碳元素半导体，它的性质是1952年由Guster发现的。除了硅、锗、金刚石外，其余的半导体元素一般不单独使用。 因为本征半导体单位体积内载流子数目比较少，需要在高温下工作电导率才大，故应用不多。 2、杂质半导体 利用将杂质元素掺入纯元素中，把电子从杂质能级（带）激发到导带上或者把电子从价带激发到杂质能级上，从而在价带中产生空穴的激发叫非本征激发或杂质激发。这种半导体叫杂质半导体。 杂质半导体本身也存在本征激发，一般杂质半导体中掺杂杂质的浓度很低，如十亿分之一就可达到目的。 2、杂质半导体 n型半导体（电子型，施主型） ⅣA族元素(C、Si、Ge、Sn)中掺入以VA族元素(P、As、Sb、Bi)后，造成掺杂元素的价电子多于纯元素的价电子，其导电机理是电子导电占主导，这类半导体是n型半导体。 p型半导体（空穴型，受主型） ⅣA族元素(C、Si、Ge、Sn)中掺入以ⅢA族元素（如B）时，掺杂元素的价电子少于纯元素的价电子，它们的原子间生成共价键以后，还缺一个电子，而在价带其中产生空穴。以空穴导电为主，掺杂元素是电子受主，这类半导体是p型半导体。 杂质半导体的能带结构 P型半导体过量空穴处于受主能级。由于受主能级与价带顶端的能隙Ea远小于禁带宽度Eg，价带上的电子很容易激发到受主能级上，在价带形成空穴导电。 杂质半导体的能带结构 N型半导体逾量电子处于施主能级，施主能级与导带底能级之差Ed远小于禁带宽度Eg, 相差近三个数量级。因此，杂质电子比本征激发更容易激发到导带。 例如Si掺杂十亿分之一As时，其Eg为1.6×10-19 J，Ed为6.4×10-21 J。Ge掺杂十亿分之一Sb时，其Eg为1.15×10-19 J，Ed为1.6×10-21 J。 (二) 化合物半导体 二元化合物 GaAs（砷化