130nm下的DICE结构电荷共享效应研究.docxVIP

130纳米条件下基于电荷分享的硬闩锁设计中的单粒子翻转 介绍 随着技术特征尺寸的减小，产生逻辑电路的高额费用正在稳步降低。许多由于需要增加储存空间使错误率降低的方法使得设计费用增加。基于设计的方法提出运用四存储节点而不是两个节点保留数据。这样的设计被认为是在低能量离子击打下单粒子翻转免疫，因为为所有的实践都没有因为一个目标离子打击存储节点而引起翻转。然而,这样的设计由于并联节点收集电荷，很容易被离子打击影响。对深亚微米技术，由于并联节点被离子打击， 电荷收集会导致临近节点也产生变化。研究人员首先是在SRAM设计中发现电荷共享现象。在本文中,电路和3 D技术，计算机辅助设计(TCAD)，混合处理模拟方法被用来描述器件的电荷共享及由此导致的加固存储设备的结果翻转。仿真结果及实验数据显示,当加固存储单元暴露于低能离子下由于电荷共享也会导致翻转。 背景 近地辐射环境中主导地位的是阿尔法粒子和中子。阿尔法粒子主要是由那些4—6MeV由外涂材料释放而产生的。近期的实验已经证实了装置对于阿尔法粒子的敏感度越来越高。随着外涂材料纯度的增加阿尔法粒子的排放率正在大幅降低。然而，阿尔法粒子的产生仍就是一个问题。中子本身并不产生电离矽。然而共振相互作用的中子与矽产生活力的颗粒。这些颗粒(通常是铝、镁或质子或二次阿尔法的)有足够的能量来产生足以导致逻辑翻转的电子空穴对。一些先进的技术中高能粒子可能穿越多个敏感区域，导致多个节点收集电荷。为了说明粒子的生成由于中子交互与矽,5μm 5μm硅块0.1μm敏感体积的0.1μm 0.5μm间隔0.5μm除了在x -和y-directions遭遇到一个正常的事件14 MeV中子使用一个能量沉积的代号为MRED的仿真。这些敏感的体积代表的是实际的设备。硅在与14Mev的中子交互反应主方程如下： n +28 Si = 25Mg + alpha +3 gamma 这些敏感体积或者设备有超过10fc的电荷存储量如图2. 典型的范围内进行铝,镁和锂粒子由于产生这种反应的范围从1 - 10MeV,如图3所示[9]。图3同时也显示了每个线性距离电荷产生这些离子硅。从10到100fCs。在这么高的点位电路节点邻节点由于他们距离十分近，从而产生了电荷共享效应。这篇文章探讨了临近节点受到单粒子影响导致的电荷共享。基于三维TCAD模拟,两种不同的门闩设计被用来证明电荷共享会导致闩锁电路中的逻辑翻转。 电荷共享 电荷共享会产生高电荷堆积密度，降低节点电压并减小装置间巅峰空间大小，进而导致节点在单离子冲击下发生多重电荷聚集[6]-[8]。因此，电荷共享对深亚微米技术至关重要。在以后对电荷共享的讨论中，受到冲击的节点称为主动节点，主动节点周围共享电荷的节点称为被动节点。试验中使用的3D TCAD是校正过的IBM 130 nm双陷选择CMOS，并在关闭状态进行模拟。[8]试验中，用具有不同线性能传递（LET）的离子冲击主动节点，并检测主动节点及被动节点由此产生的电荷聚集。通常使用线性能传递（LET）而不是微电子伏（MeV）来衡量入射离子的强度。线性能量传递是带电粒子淀积在材料每单位质量厚度的能量。利用离子束的线性能量传递、材料中形成一个电子-空穴对（EHP）所需的平均能量以及材料的密度，就可以求得单位长度电荷的堆积量。[14] 图4. 两个PMOS装置的节点分离。在IBM 130nm 8RF技术中，被动PMOS装置电荷聚集增强，同时与主动PMOS距离减小。 图4表明两个POMS装置在N阱中的电荷共享，图5表明在P阱中两个NMOS装置之间的电荷共享。由于入射离子束的线性能量传递（LET）较低，在不同阱中NMOS与PMOS之间的电荷共享很小。这些模拟的结果表明，主动装置与被动装置之间的距离减小时，被动装置上聚集的电荷量就会增加。主动装置也可以聚集电荷。图4与图5中的数值代表了被动节点上聚集的电荷量。这些曲线表明在电荷共享在先进技术中仍普遍存在，需要对其进行深入研究。 图5. 两个NMOS装置的节点分离。在IBM 130nm 8RF技术中，被动NMOS装置电荷聚集增强，同时与被动NMOS距离减小。[8] 电荷共享引发的问题 由于电荷共享的时间极短，只能通过间接的实验手段来证明电荷共享的存在。试验中利用一个锁存器来证明电荷共享的存在。当只有一个节点聚集了电荷时，锁存器不翻转，但当多个节点同时聚集有电荷时，锁存器翻转。图6是表明了这种被称为双互锁单元。[4]传统的锁存器具有2个背靠背连接有逆电器（与非门或者或非门）的储存节点。双互锁单元具有4个背靠背连接有逆电器（与非门或者或非门）的储存节点。由于具有4个储存节点，并且具有互锁的结构，写入双互锁单元要求至少2个或2个以上的节点电压发生改变。特别地，当4个储存节点同时写入时，写入时间会缩短。这