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EBSD技术简介;目录;1.1 取向(差)的定义及表征;两个晶体坐标系之间的关系
crystal coordinate system for crystal 1 (CCS1)
crystal coordinate system for crystal 2 (CCS2);(1) Rotation matrix G
(2) Miller indices
(3) Euler angles
(4) Angle/axis of rotation;(1) Rotation matrix G;(2) Miller Indices;第一次:绕Z轴(ND)
转φ1 角
第二次:绕新的X轴(RD)
转Φ角
第三次:绕新的Z轴(ND)
转φ2角
这时样品坐标轴和晶体坐标轴重合。
;(4) Angle/Axis of Rotation;取向表达的数学互换;织构的定义:多晶体中晶粒取向的择优分布。
织构与取向的区别:多与单的关系。;极 图;反 极 图;(3)取向分布函数图ODF。用于精确表示织构。; 镁合金常见理想织构;;1.3 织构的检测方法;(2)TEM及菊池花样分析技术(TEM/SAD/MBED/CBED);(3)SEM/EBSD方法;
X射线衍射法:定量测定材料宏观织构,
统计性好,但分辨率较低(约1mm),
无形貌信息;
SEM及电子背散射衍射(EBSD) :
微观组织表征及微区晶体取向测定(空间分辨率可达到0.1μm)
TEM及菊池衍射花样分析技术:
微观组织表征及微区晶体取向测定(空间分辨率可达到30nm);目录;材料微观分析的三要素:形貌、成分、晶体结构; 什么是EBSD技术?;FEI Nano 400 场发射扫描电镜及HKL EBSP系统 5.0;EBSD 探头;EBSD set up;EBSPs的产生条件;EBSPs 的产生原理;d;典型的EBSP花样;不同晶体取向对应不同的菊池花样;EBSD术语;EBSD如何工作?;图像处理及菊池带识别; 多点自动标定过程;两种扫描方式;扫描类型;面扫描模式;目录;;EBSD 图像解释; EBSD技术利用取向成像法,在获取显示晶粒形貌的图像的同时,可方便地测量其晶粒尺寸及尺寸分布,直径约20?m的晶粒数量最多。
影响晶粒尺寸测量结果的因素主要是, 扫描步长和取向差角范围的设定; Ni晶粒的取向差统计图,大多数晶粒的取向差小于3或等于60晶粒取向差沿一直线的变化。在晶粒内部取向差变化很小( 3?);在晶界处取向差出现一个突变,如15、40、60等;如前所述,EBSD 技术可以测量晶粒间的取向差,若将取向差按角度范围分类,可区分小角度晶界和大角度晶界,并可计算各类晶界所占的比例。如图2.5中5?~15的晶界在用绿线表示,所占份数为0.41%。根据特定的取向差,还可确定孪晶界、重合位置点阵晶界等特殊晶界。;利用已知物相的晶体学数据(可借助数据库),通过衍射花样标定而鉴定物相,不同物相用不同颜色成像,即可获得如图2.6 所示相分布图像,并可计算各相所占的份数
图2.6 中,红色表示?-钛, 绿色表示?-钛,?-钛和?-钛分别占73.8%和26.2%
; 图2.7 所示是变形铝晶粒取向成像图,图中大部分变形晶粒的颜色相近,说明它们具有相近的取向, 但其织构指数还需用极图、反极图和ODF等方法确定;(1)原始状态;(1)原始状态;图2.10 欧拉空间及空间分割示意图;(1)原始状态;2.9 配合能谱进行未知相的鉴定 ;图2.13 合金钢中析出相的相鉴定; EBSD技术优势:
一种物相鉴定的新方法
标准的微区织构分析方法
具有大样品区域统计的特点
与能谱结合,可集成分析
显微形貌、成分和取向;目录;EBSD样品制备流程;镁合金EBSD制样过程; 样品制备常见问题;可以在二次电子像及花样质量图中清晰的观察到表面划痕
在二次电子图像里面并不清楚的小的表面划痕在花样质量图里面非常清楚
因此需要选???合适的材料及工艺避免小的表面缺陷;电解抛光;电解抛光的特点;不同阶段电解抛光样品表面的变化;镁合金的电解抛光;谢 谢
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