华中科技版模电课件-CH4-5.pptVIP

④增益-带宽积 BJT 一旦确定， 增益带宽积基本为常数 # 如何提高增益-带宽积？ 都较小的BJT。 可选用 如想 ↗ RL来 ↗ AVSM → 密勒效应加强 CM1 ↗ → fH ↘ 带宽变窄 当RbRs及Rbrbe时，有 中频增益增大多少倍，带宽变窄多少倍 2. 低频响应 ①低频小信号等效电路 电路简化： Ce足够大， ①Rb=（Rb1 || Rb2）远大于R?i R?i Rb可视为开路 Re可视为开路 ②将Ce折算到基极（输入）回路， 将输出回路化为电压源 等效电路形式。 则，输入回路总电容C1为 Cb1与 的串联。即 输入、输出回路都是一阶RC高通电路。 ③将Ce折算到集电极（输出）回路， Ce可视为短路 中频区(即通常内)源电压增益 则 下限频率取决于 当 令 下限频率取决于 当 时， 相频响应 ? ＝－180 ? ＋arctan(fL1/f) 幅频响应 低频特性与RC一阶高通电路相似 + * * ⑴假定Cb1、Cb2、Ce足够大， ?(f) 又不是太小 ——视为交流短路； ⑵认为极间电容非常小， ?(f) 又不是太大 ——视为交流开路； Av = – rbe ? ( RC‖RL ) 与?无关 是建立在两点假定基础上 这两点假设确定f在中频段 耦合电容 Ce 旁路电容 Cbc Cbe 极间电容 Rb vi Rc RL 4.7 放大电路的频率响应 当f很低时， Cb1、Cb2、Ce的容抗很大，不能再视为短路， ——即它们对放大器的低频特性有影响； 当f很高时， Cbe、Cbc的容抗很小，不能再视为开路， ——即它们对放大器的高频特性有影响； 极间电容 耦合电容 Ce 旁路电容 Cbc Cbe 由于放大电路中有电抗性元件（包括极间电容、耦合电容、旁路电容等） 对于不同 的f 或ω 阻抗不同 放大器对于不同f 信号的 AV · 不同 放大电路的电压增益随输入正弦信号频率变化的响应 ——放大电路的频率响应 ——亦是放大电路的重要指标！ 或 —— 幅频响应 —— 相频响应 我们要用幅频响应曲线及相频响应曲线来研究放大电路的低频及高频响应。 4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应 一阶RC电路 RC低通电路 RC高通电路 可用来模拟放大电路高频段的频率响应 可用来模拟放大电路低频段的频率响应 RC电路的电压增益（传递函数）： 则 且令 令 电压增益的幅值（模） （幅频响应） 电压增益的相角 （相频响应） 1. RC低通电路的频率响应 RC低通电路 最大误差发生在fH 处最大误差为3dB 幅频响应 相频响应 f ? 0.1 fH f ? 10 fH ?H→ -90° 2、RC高通电路的频率响应： RC 高通电路的电压增益： ——转折频率 下限频率 则 AVL= 1 1 – j ( fL / f ) · RC高通电路 幅频响应 相频响应 20分贝/十倍频程 -45°/十倍频程 AVL= 1 1 – j ( fL / f ) · 1. BJT的高频小信号模型 ①模型的引出 前面给出BJT H参数小信号模型。在高频区，极间电容不可忽略。 4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数 rbe ——发射结电阻re归算到基极回路的电阻 Cbe ——发射结电容 rbc ——集电结电阻 Cbc ——集电结电容 rbb ——基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点 BJT的高频小信号模型 在高频段，?与?有关，Ic与Ib不呈正比关系， · · · 用gmVbe来表示受控电流源 gm 与?无关 BJT的高频小信号模型 互导 根据半导体物理学分析 成线性关系 与 BJT的高频小信号模型 ②简化模型 混合?形高频小信号模型 2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得 低频时，混合?模型与H参数模型等价 等价 2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得 低频时，混合?模型与H参数模型等价 所以 等价 由输入回路等价 从手册中查出 gm= ? Ib · Vbe · ? rbe = ? (1+ ?) VT IE = IE VT ? 所以 可见， ?模型中的参数rbe、 gm都与Q点有关。 式4.7.21c 等价 由输出回路等价 3. BJT的频率参数 内容自学 4.5.2 4.5.2 图题4.5.2 4.5.2 4.5.2 图题4.5.2 与NP