上海华虹NEC电子有限公司扩建厂房土方开挖施工方案.docVIP

上海华虹NEC电子有限公司 大功率MOS集成电路生产线扩产项目 基 坑 土 方 开 挖 施 工 方 案 上海浦东城市建设实业发展有限公司 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目 【基坑土方工程开挖施工方案】 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u 1.工程总体概述 1 1.1工程概述 1 1.2工程概况 1 1.3本方案编制依据 2 2.工程特点和地质状况 2 2.1工程特点 2 2.2地质状况 2 3.施工部署 3 3.1施工思路 3 3.2施工段划分 错误！未定义书签。 3.3施工组织 4 4.施工进度计划 5 5.主要施工方案 错误！未定义书签。 5.1工程测量 5 5.1.1 布网原则 4 5.1.2 施工控制网的测设 4 5.1.3 高程控制 5 5.1.4 测量质量保证措施 6 5.2土方开挖 7 5.2.1开挖原则 7 5.2.2机械选型和数量 7 5.2.3机械施工效率计算书 8 5.2.4土方开挖施工 错误！未定义书签。 5.2.5土方开挖过程中应注意的问题 11 5.2.6土方开挖期间排水 12 5.3基坑降水12 　 5.3.1降水方案 12 　 5.3.2降水施工 12 　 5.3.3降水运行措施 12 6.主要机械设备计划、劳动力计划 16 6.1主要机械设备计划 16 6.2劳动力计划 17 7.质量保证措施 17 8.进度保证措施 18 9.安全生产措施 18 10.文明施工措施 19 11.雨季施工措施 20 12.相关工序间的协作 20 12.1降水工程 21 12.2加强基坑围护结构监测数据的反馈 22 第 PAGE 21 页 共 22页 基坑土方开挖施工方案 1.工程总体概述 1.1工程概述 工程名称：上海华虹NEC电子有限公司 大功率MOS集成电路生产线扩产项目 建设单位：上海华虹NEC电子有限公司 设计单位：信息产业电子第十一设计研究院有限公司 施工单位：上海市第四建筑有限公司 工程范围：地下室基坑土方开挖施工、深井降水 1.2工程概况 1)、工程地理位置及周围环境 本工程是上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目，工程在原有厂区内建设。新建厂房的南侧为原有厂区变电所，北侧为动力厂房。厂区北靠川桥路、西接金豫路，东临申江路，南面为桂桥路，交通便捷，水电等基础设施齐全。 本工程±0.00相当于绝对标高4.55m，自然地面标高－0.30m（相当于绝对标高4.25m），北区浅基坑底标高－2.10米，基坑面积约2900 m2，开挖深度约1.80米，则浅基坑土方量约5220 m3；南区深基坑面积约1080 m2，坑底标高－6.90m，开挖深度约6.6米 本工程土方总开挖量约12348 m 2)、围护体系的设计概况 本工程围护体系采用一排钻孔灌注桩(桩径为750、800、850)和水泥土搅拌桩止水帷幕的围护形式(南区采用三轴机、北区采用双轴机)。支撑采用4个角撑加南北对撑的形式，全部为Φ609钢管支撑。在基坑底设搅拌桩对局部落深部位进行封闭加固，以利于整个围护体系的稳定性。 3)、周边管线情况 在基坑的东侧有一条雨水管和污水管，离基坑围护边的距离约4米，南侧有一条电缆沟和一条控制电缆，离搅拌桩最近的一条控制电缆的距离为1.2米，西侧的控制电缆离围护边为4米，在西南角转弯处离围护结构最近的一条电缆的距离为0.8米，北侧为开阔的浅坑部位。 1.3本方案编制依据 ⑴根据大功率MOS集成电路生产线扩产项目设计图纸、基坑围护方案。 ⑵国家和行业颁布的有关现行施工规范和标准。 ⑶上海市有关《建筑工程现场文明施工管理办法》。 ⑷我公司现时的施工管理模式及设备、材料配备情况。 ⑸我公司同类工程经验及成果。 2.工程特点和地质状况 2.1工程特点 本工程并区浅基坑开挖较浅（约1.80米），浅基坑采用常规的挖土工艺施工，其基坑边采用自然放坡，放坡比例为1：1。 本工程南区深基坑开挖较深（约6.60米），根据围护方案采用钻孔灌注桩加搅拌桩止水进行围护，支撑系统为顶圈梁加设一道钢管支撑，支撑中心标高为－2.550米，支撑采用对撑形式，坑底局部暗墩搅拌桩加固，由于支撑及顶圈梁均落底，则深基坑宜采用分层开挖法。 深坑采用深井进行坑内降水，降水深度为坑底以下0.5～1.0m 2.2地质状况 根据业主提供的地质勘察报告，地质情况简列如下表： 土层编号 土层名称 层底标高(m) 层厚(m) 重度