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ALD技术的发展与应用 摘要：随着微电子行业的发展, 集成度不断提高、器件尺寸持续减小, 使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战, 然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术, 因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好, 还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体领域。本文简要介绍了ALD技术的原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术及ALD本身作为一种技术的发展状况(T-ALD,PE-ALD和 EC-ALD等);重点叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)应用。最后,对ALD未来的发展应用前景进行了展望。 关键字：原子层沉积;薄膜沉淀;高K材料;铜互连 The Develpoement and Application of ALD Technology Su yuan SchoolofMicroelectronics,XidianUniversity, Xi’anShanxi710071 Abstract：The latest development of atomic layer deposition(ALD)technology was tentatively reviewed .ALD has been widely used in fabrication of electronics chips because ALD is capable of depositing highly pure homogenous films with well-controlled film thickness and chemical contents .The discus-sions focused on :i)the principle of ALD technology ,its characteristics,and technical advantages ;ii)the mechanisms of chemical self-limiting(CS) and possible ways to achieve ALD , such as thermal-ALD(T-ALD), plasma-enhanced ALD(PE-ALD), electro chemical ALD(EC-ALD), and etc.i;ii)its applications in synthesis ofhigh k materials , interconnecting materials for integrated circuit(IC).The development trends of ALD technology and its potential applications were also briefly discussed. Keyword：ALD ;Film-Deposition ; high-k material ; Cu-Interconnecting 一、引言 随着半导体工艺的不断发展，基于微结构的集成期间在进一步微型化和集成化，特征尺寸已经缩小到了亚微米和纳米量级。芯片尺寸以及线宽的不断缩小、功能的不断提升成为半导体制造业技术的关键，特别是对薄膜的要求日益增加，例如薄膜厚度的均匀性和质量的严格要求。这就使得传统的CVD沉积技术，已很难有效地精确控制薄膜特性及满足日益严苛的工艺技术要求，特别是随着复杂高深宽比和多孔纳米结构的应用【1】。目前具有发展潜力的一种技术就是原子层沉积(AtomicLayer Deposition,ALD)。 原子层沉积技术 (Atomic Layer Deposition；ALD)，最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy， ALE)，也称为原子层化学气相沉积 (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)。其产生可以追溯到芬兰科学家Suntolabo在20世纪六、七十年代的研究工作。20世纪80年代后期，采用ALD 技术生长Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族单晶化合物以及制备有序异质超晶格而受到关注，但由于这一工艺涉及复杂表面化学过程和较低沉积温度，并没有获得实质性的突破。20世纪90年代中后期，随着微米和深亚微米芯片技术的发展，集成器件进一步微型化，结构进一步复杂化，相比其他传统薄膜制备技术，ALD技术在加工三维高深宽比微纳结构超薄膜上的优势逐渐体现。自2001年国际半导体工业协会（ITRS）将ALD与金属有机化学气相沉积（MOCVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）并列作为与微电子工艺兼容的候选技术以来，其发展势头强劲，赢得众多科研人员的关注【2】，已经成为新一代微纳