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目 录
TOC \o 1-3 \h \z \u 第1章 Silvaco TCAD软件的基本知识 1
1.1 Silvaco TCAD简介 1
1.2主要组建 1
第2章 NMOS基本结构、工艺流程及工作原理介绍 3
2.1 NMOS基本结构 3
2.2 NMOS工艺流程 3
2.3 NMOS工作原理 3
2.3.1 N沟道耗尽型MOS管 4
2.3.2 使用场效应管的注意事项 4
2.3.3 场效应管与三极管的性能比较 5
第3章 NMOS工艺、器件仿真流程 6
3.1 NMOS工艺仿真流程 6
3.2 参数不同时工艺仿真结果分析 6
3.2.1 改变阱浓度 6
3.2.2 改变栅氧化层厚度对阈值电压 7
3.2.3改变调整阈值电压的注入浓度的影响 8
3.3参数不同时器件仿真结果分析 9
3.3.1改变阱浓度 9
3.3.2改变栅氧化层厚度对阈值电压 10
3.3.3改变调整阈值电压的注入浓度的影响 11
第4章 实验总结 13
参考文献 14
附录A：MOS的工艺仿真程序 15
附录B：提取参数程序 19
附录C：器件仿真程序 25
第1章 Silvaco TCAD软件的基本知识
1.1 Silvaco TCAD简介
Silvaco的全称是Silvaco?International是世界领先的电子设计自动化(EDA)软件供应商，公司创建于1984年，总部设于加利福尼亚州的圣塔克莱拉，在全世界设有12个分支机构。Silvaco公司拥有包括IDM、Foundry、Fabless、集成电路材料业者、液晶面板厂、太阳能电池厂、ASIC业者、大学、研究中心等在内的庞大的国内外客户群。供应已经证明的产品用于TCAD工艺和器件仿真，Spice参数提取，电路仿真、全定制IC设计/验证等。公司将这些最优产品与经验丰富的技术支持和工程服务结合在一起，经验丰富知识渊博的应用工程师提供一套完备技术。?
Silvaco?TCAD软件用来模拟半导体器件电学性能，进行半导体工艺流程仿真，还可以与其它EDA工具组合起来使用(比如spice)，进行系统级电学模拟(Sentaurus和ISE也具备这些功能)。?
SivacoTCAD为图形用户界面，直接从界面选择输入程序语句，非常易于操作，其例子教程直接调用装载并运行，是例子库最丰富的TCAD软件之一，你做的任何设计基本都能找到相似的例子程序供调用。?
Silvaco?TCAD平台包括工艺仿真(ATHENA)，器件仿真(ATLAS)和快速器件仿真系统(Mercury)，尤其适合喜欢在全图形界面操作软件的用户。?
ATLAS器件仿真系统使得器件技术工程师可以模拟半导体器件的电气、光学和热力的行为。ATLAS提供一个基于物理，使用简便的模块化的可扩展平台，用以分析所有2D和3D模式下半导体技术的的直流，交流和时域响应。
1.2主要组件
这些组件包括交互工具DeckBuild和Tonyplot,工艺仿真工具ATHENA，器件仿真工具ATLAB和器件编辑器DeveEdit,还有一些内部的模块。
DeckBuild
各TCAD仿真组建均在DeckBuild界面调用，例如先由ATHENA或DeveEdit生成器件结构，再由ATHENA对器件特性进行仿真，最后由Tonyplot2D或者Tonyplot3D显示输出。
ATHENA
工艺模拟软件ATHENA能帮助工艺开发和优化半导体制造工艺，ATHENA提供一个易于使用，模块化的，可拓展的平台。ATHENA能对所有关键制造步骤（离子注入、扩散、刻蚀、淀积、光刻以及氧化等）进行快速精确的模拟。仿真能得到包括COMS，Bipolar，SeGe，SOI，III-V，光电子以及功率器件等器件结构，并准确预测器件结构中的几何参数，参杂剂量分布和应力。优化设计参数使速、产量、击穿、泄露电流和可靠性达到最佳结合。它通过模拟取代耗费成本的硅片实验，可缩短开发周期和提高成品率。
第2章 NMOS基本结构、工艺流程及工作原理介绍
2.1 NMOS基本结构
NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体）。
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS
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