西电半导体物理教案 chapter4 半导体中载流子的输运现象.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学 微电子学院 第四章 半导体中载流子的输运现象 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系 4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 4.4 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系 4.5 连续性方程 4.1 载流子的漂移运动与迁移率 一、漂移速度与迁移率 在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺)电场方 向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 图中截面积为s的均匀样品， 内部电场为|E| ，电子浓度为n。 在其中取相距为 的A和B两 个截面，这两个截面间所围成 的体积中总电子数为 ， 这N个电子经过t时间后都将通过A面，因此按照电流强度的定义 与电流方向垂直的单位面积上所通过的电流强度定义为电流密 度，用J表示，那么 已知欧姆定律微分形式为 σ为电导率，单位S/cm。 令 ，称μn为电子迁移率，单位为cm2/V·s。因为电子逆 电场方向运动， 为负，而习惯上迁移率只取正值，即 迁移率μn也就是单位电场强度下电子的平均漂移速度，它的大小 反映了电子在电场作用下运动能力的强弱。 经计算比较可以得到 上式就是电导率与迁移率的关系。电阻率ρ和电导率σ互为倒数， 即σ＝1/ρ，ρ的单位是Ω·cm。 二、半导体的电导率和迁移率 若在半导体两端加上电压，内部就 形成电场，电子和空穴漂移方向相反， 但所形成的漂移电流密度都是与电场方 向一致的，因此总漂移电流密度是两者 之和。 由于电子在半导体中作“自由”运动，而空穴运动实际上是共 价键上电子在共价键之间的运动，所以两者在外电场作用下的平 均漂移速度显然不同，用μn和μp分别表示电子和空穴的迁移率。 通常用(Jn)drf和(Jp)drf分别表示电子和空穴漂移电流密度，那 么半导体中的总漂移电流密度为 n型半导体 n>>p p型半导体 p>>n 本征半导体 n=p=ni 4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系 一、概念 半导体中的载流子在没有外电场作用时，做无规则热运动，与格点原子、杂质原子(离子)和其它载流子发生碰撞，用波的概念就是电子波在传播过程中遭到散射。 当外电场作用于半导体时，载流子一方面作定向漂移运动，另一方面又要遭到散射，因此运动速度大小和方向不断改变，漂移速度不能无限积累，也就是说，电场对载流子的加速作用只存在于连续的两次散射之间。 因此上述的平均漂移速度 是指在外力和散射的双重作用下，载流子是以一定的平均速度作漂移运动的。 而“自由”载流子也只是在连续的两次散射之间才是“自由”的。 半导体中载流子遭到散射的根本原因在于晶格周期性势场遭到破坏而存在有附加势场。 因此凡是能够导致晶格周期性势场遭到破坏的因素都会引发载流子的散射。 二、半导体中载流子的主要散射机构 1. 电离杂质散射 施主杂质在半导体中未电离时是中性的，电离后成为正电中心，而受主杂质电离后接受电子成为负电中心，因此离化的杂质原子周围就会形成库仑势场，载流子因运动靠近后其速度大小和方向均会发生改变，也就是发生了散射，这种散射机构就称作电离杂质散射。 为描述散射作用强弱，引入散射几率P，它定义为单位时间内 一个载流子受到散射的次数。 如果离化的杂质浓度为Ni，电离杂质散射的散射几率Pi与Ni及 其温度的关系为 上式表明： Ni越高，载流子受电离杂质散射的几率越大； 温度升高导致载流子的热运动速度增大，从而更容易掠过电离杂质周围的库仑势场，遭电离杂质散射的几率反而越小。 说明： 对于经过杂质补偿的n型半导体，在杂质充分电离时，补偿后的有效施主浓度为ND-NA ，导带电子浓度n0=ND-NA； 而电离杂质散射几率Pi中的Ni应为ND+NA，因为此时施主和受主杂质全部电离，分别形成了正电中心和负电中心及其相应的库仑势场，它们都对载流子的散射作出了贡献，这一点与杂质补偿作用是不同的。 2. 晶格振动散射 一定温度下的晶体其格点原子(或离子)在各自平衡位置附近振动。半导体中格点原子的振动同样要引起载流子的散射，称为晶格振动散射。 格点原子的振动都是由被称作格波的若干个不同基本波动按照波的迭加原理迭加而成。 常用格波波矢|q|=1/λ表示格波波长以及格波传播方向。 晶体中一个格波波矢q对应了不止一个格波