以电化学方法量测氮化铝薄膜之孔隙度研究.doc

以電化學方法量測氮化鋁薄膜之孔隙度研究 Using electrochemistry method measure AlN thin film 研究生：侯翔詠 Hsiang Yung Hou 指導教授：熊京民 Ching Min Hsiung 【摘要】 物理氣相沉積鍍膜(physical vapor deposition, PVD)能在試片表面鍍著金屬或非金屬薄膜，達到表面改質或是在半導體方面獲得優良的光電特性，而增加硬度、耐磨耗性、耐蝕性。而鍍膜過程中，無法避免巨大粒子(droplet)的植入、粒子堆積的不連續及多層膜間的附著力不佳所造成的局部缺陷(local defect)，這些缺陷皆會形成曝露底部基材面積的小孔隙，使薄膜的性能受到影響。 因此必需使用有效的方法來量測薄膜的本質孔隙(intrinsic porosity)，本研究以直流濺鍍(DC sputtering)製程在304不鏽鋼基材上鍍著氮化鋁(aluminum nitride)薄膜，配合恆電位儀(potentialstat)使用臨界電流法(critical current method)、動態極化掃描法(potentialdynamic polarization method)、電量量測法以極化曲線為基礎，搭配五種不同的掃描速率，並比較鍍膜試片與未鍍膜基材所量得之腐蝕電流(corrosion curre