场效应管及其基本放大电路.pdf

第四章 场效应管及其基本放大电路 4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅型场效应管 4.3 直流偏置电路 4.4 场效应管的交流小信号模型 4.5 三种组态场效应管放大器的中频特性 4.6 单级共源放大器的频率特性 线性电子 1 §4.1 结型场效应管 （N沟道为例）  单极型管 ∶输入阻抗特别大，噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 漏极D :Drain 1. 结型场效应管 结构示意图 栅极G :Gate 导电 符号 沟道 源极S: Source 场效应管三个极：对应 三个工作区域：截止区、饱和区、可变电阻区， 于晶体管e、b、c ； 对应于晶体管截止区、放大区、饱和区。 线性电子 §4.1 结型场效应管 漏极 （D ） 结构要素 N 一条导电沟道 P+ P+ 两个PN结 N 三个电极 沟 栅极 道 （G ） N沟道：漏源之间以自由 电子为载流子的导电区域 P沟道：空穴。 源极 （S） 线性电子 3 4.1 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 栅极与源极之间加负电压:UGS ≦0 两PN结为反向偏置 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 导电率逐渐降低 夹断电压VP0=|UGS(off)| uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ 线性电子 4.1 、漏-源电压对漏极电流的影响 U u 0 GS(off) GS uGD ＝UGS （off ） 预夹断 uGDUGS （off ） uGDUGS （off ） 0u ＞U 且不变，V 增大，i 增大。 GS GS （off） DD