半导体光放大器
1.半导体光放大器的工作原理
由半导体激光器的相关知识可知,由一些半导体材料形成的PN结有源区,在入射光子的作用下会发生受激辐射而产生光放大,半导体的这种光放大作用是制作半导体激光器的基础。由于半导体激光器的两端面形成了F—P(法布里—珀罗)谐振腔,它起到对光信号选择合适的波长并提供光学正反馈作用。而半导体光放大器与半导体激光器所不同的是,它没有谐振腔(半导体光放大器的PN结有源区两端面涂有抗反射膜,形成透明区,不发生反射)。因而,通过半导体光放大器的光波为行波。图3—69为半导体光放大器的工作原理示意图。
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当向半导体光放大器中注入正向电流,并达到一定值时,N区自由电子增多并不断进入PN结 中与空穴复合,以光子形式释放能量。该光子在输入光信号的感应下形成受激辐射,使释放出的光子和入射光子同频、同向、同相位、同偏振方向、同模式并在光子 不断前进中继续受感应而产生受激辐射,进而产生更多的新的光子,使输入光信号得到放大。放大器的增益是沿着有源区的长度按指数增长的,而且注入电流越大, 产生的光子数越多。一个光放大器输出的最大功率取决于注入电流的大小。当保持注入电流不变,而不断增大输入信号强度时,放大器的增益将不能恒定,放大器增 益较小信号增益减小3dB时,对应的放大器输出光功率值称为输出饱和功率,这种现象称为增益饱和效应。
以上讨论的放
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