ZnO薄膜在Si(100)衬底上的制备与性能分析.pdfVIP

所以我们在同样的生长条件下，还生长了以MgO／ZnMgO超晶格作为缓冲层的 两个样品，其差别也是只是首层的顺序不同，分别先长MgO和ZnMgO，同样 发现对于不同的首层生长出的ZnO薄膜的表面形貌有着很大的差异，但是由于 此组超晶格结构的Mg的组分较大，从XRD图可以看出除了闪锌矿ZnO(111) 和纤锌矿ZnO(002)峰之外，在36．60附近还出现了另外两个峰，说明由于Mg 组分过大，ZnO结晶性和延c轴择优取向生长特性明显降低。 MgO／ZnMgO对ZnO的不同影响，并分析其原因。 关键词：MBE；超晶格缓冲层；Si(100)衬底 II Abstract In wide zinc recent material years，newbank印semiconductoroxide(ZnO) hasbeen studiedafter Silicon ext