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- 2019-06-18 发布于福建
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第一章 半导体中的电子状态思考题与练习题 比较说明孤立原子中的电子、自由电子、晶体中的电子的运动状态? 定性比较说明导体、绝缘体、半导体导电能力差异物理机制。 说明描述晶体中的电子的有效质量的物理含义,与自由电子的惯性质量有何区别,其引入有何好处? 第三章 半导体中载流子的统计分布思考题 空穴的物理含义? 简述半导体的导电机构,与金属比较。 解释等能面,简述回旋共振测量有效质量的原理 简述Si、Ge的能带结构特征 简述GaAs的能带结构特征 比较CdTe、HgTe的 能带结构 Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族或Ⅳ族半导体中,那些可以形成混合晶体,其能带结构随组分的变化而如何变化?这些混合晶体有何应用? 晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m、107V/m的电场时,分别计算出电子从能带底运动到能带顶的时间 12、设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值Ec(k)和价带极大值附近能量分别为: 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同? 在N个原子组成的晶体中,若由原来的一个原宇能缀分裂的能级狱大于刃或小于N,是否与泡利不相容原理矛盾? 如何理解能级“分裂”成能带?试以NaCl和C6为例,说明孤立原予的能级和能带的对应憎况。 晶体体积的大小对能级和能带有什么影响? 描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量“的概念?
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