硬X射线光电子能谱HAXPES-中国科学院化学研究所分析测试中心.pdfVIP

硬X 射线光电子能谱（HAXPES ）技术与应用 赵志娟 章小余 屈宝龙 （分析测试中心光电子能谱组 Tel: 010 Email: xps@iccas.ac.cn） ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 一、HAXPES 简介： 传统的XPS 采用软X 射线作为激发源，通常为Al Kα （能量为1486.6eV） 或者Mg Kα （能量为1253.6eV），其分析深度一般是10nm 左右，对于更深范围 内的元素化学信息，通常只能借助离子刻蚀的方法来获得，但其不利因素是会引 起材料表面化学结构的改变。而HAXPES 技术采用更高能量的硬X 射线为激发 源（如 Cr Kα，能量为5414.9eV，或者同步辐射源）可以获取数倍于常规XPS 分析深度范围内的化学信息（见图 1），大大减弱了来自表面污染层的干扰，同 时通过检测元素更接近芯能级的光电子信号可以对材料界面层进行无损剖析，这 对于固体材料表/界面化学分析是一个非常重要的应用。