电力电子技术试验.pdfVIP

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  • 2019-07-05 发布于天津
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电力电子技术实验 实验四 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 特性与驱动电路研究  一.实验目的  1.熟悉IGBT主要参数与开关特性的测试方 法。  2 .掌握混合集成驱动电路EXB840 的工作原 理与调试方法。  二.实验内容  1.IGBT主要参数测试。  2 .EXB840性能测试。  3 .IGBT开关特性测试。  4 .过流保护性能测试。  四.实验线路及原理  线路图见图4-1  绝缘栅极双极型晶体管是双极型电力晶体管和 MOSFET 的复合。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写。电力晶体管饱和压降低,载流 密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很 小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而 饱和压降低。  五.实验方法  1.IGBT主要参数测试  (1)开启阀值电压VGS (th )测试  开启阀值电压简称开启电压,是指器件流过 一定量的漏极电流时(通常取漏极电流 ID =1mA)的最小栅源电压。  在主回路的 “1”端

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