山东建筑大学 电工学A2二极管和晶体管 课件.pptVIP

一、什么是半导体 半导体是导电能力在导体与绝缘体之间的物质 （典型物质：硅 Si） 硅谷: 美国西海岸加利福尼亚州的圣他克拉克县 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 要求： 最大整流电流、 反向工作峰值电压、 反向峰值电流 三个量标注于二极管的伏安特性曲线上 二极管电路分析举例 课本例题：例14.3.1 练习与思考 14.3.1， 14.3.2， 14.3.3， 14.3.4， 14.3.5 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 例题14.4.1 练习与思考 14.4.1 14.4.2 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 练习与思考 14.5.1 14.5.3 14.5.4 14.5.6 、 14.5.7 14.5.9 14.5.10 ★简单知识点 ★ ★重要知识点 ★★★核心知识点 必考小题或者是大题的基础 ★★★★重要内容 考试概率很大，以大题形式出现 ★★★★★必考内容 课程中的绝对重点 章节重要性说明： ▲本书中不太重要的章节，考试以小题为主，但是其他章节的基础 ▲ ▲ 本书中比较重要的章节，考试可能以大题形式出现，重点内容比较明确 ▲ ▲ ▲ 本书中非常重要的章节，考试必考内容，必然会有大题涉及到本章内容，甚至不只一题，章节中重点考察知识多 第十四章 小结 （本章重点程度▲ ） 1、二极管 （1）作用★ （2）伏安特性曲线（5个量标于图上） ★ ★ ★ （3）稳压二极管的用法★ （4）二极管电路分析 ★ ★ ★ 2、三极管 （1）作用★ ★ （2）原理 （3）特性曲线★ ★ ★ （4）主要参数β，ICBO, ICEO ★ ★ 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE IC /IB 比较大，且基本不变 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化，是CCCS器件。 + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? (a) NPN 型晶体管； + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? 电流方向和发射结与集电结的极性 (3) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向 偏置，集电结必须反向偏置。 (