二极管和三极管14660.pptVIP

电 子 技 术 新桥职业技术学校 14.1 半导体的导电特性 14.1.1 本征半导体 14.1.1 本征半导体 14.1.1 本征半导体 14.1.1 本征半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 14.4 稳压管 一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。 1 稳压管表示符号： 正向 + - 反向 + - IZ UZ 2 稳压管的伏安特性： 3 稳压管稳压原理： 稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。 稳压管的反向特性曲线比较陡。 反向击穿 是可逆的。 U/V I/mA 0 IZ IZM UZ 稳压误差 14.4 稳压管 4 主要参数 （2）电压温度系数 （1）稳定电压 UZ 稳压管在正常工作下管子两端的电压。 说明稳压管受温度变化影响的系数 14.4 稳压管 （3）动态电阻 （4）稳定电流 （5）最大允许耗散功率 rZ 稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值 IZ PZM 管子不致发生热击穿的最大功率损耗。 PZM=UZIZM 14.4 稳压管 例题 + _ U U0 UZ R 稳压管的稳压作用 当UUZ时,电路不通；当UUZ大于时,稳压管击穿 此时 选R，使IZIZM 返回 二、稳压过程 - ˉ ˉˉ? ˉ? ˉ? RL IZ +uCC UO uR RL UO IZ UR UO 三、稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的系数。 （3）动态电阻 （4）稳定电流IZ （5）最大允许功耗 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 14.5.2 电流分配和放大原理 14.5.3 特性曲线 14.5.4 主要参数 结构 平面型 合金型 NPN PNP 1-5 半导体三极管 一、三极管 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 14.5.1 基本结构 发射结 集电结 B N N P 发射区 基区 集电区 E C N N P B E C C E B 发射结 集电结 B P P N 发射区 基区 集电区 E C P P N B E C C E B 14.5.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 14.5.2 电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共发射极接法 14.5.2 电流分配和放大原理 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由此实验及测量结果可得出如下结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 （3）当IB=0（将基极开路）时， IE=ICEO， ICEO0.001mA 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 14.5.2 电流分配和放大原理 外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 UBE0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBEUCE RB EC + + _ _ EB E B C N N P 14.5.2 电流分配和放大原理 发射结正偏 扩散强 E区多子（自由电子）到B区 B区多子（空穴）到E区 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 14.5.2 电流分配和放大原理 2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 同时基区中的电子被EB拉走形成 IB IEB=IB时达到动态平衡 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运