GB/T 35307-2017流化床法颗粒硅.pdf

ICS 29.045 H 82 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 35307—2017 流化床法颗粒硅 Granular polysilicon produced by fluidized bed method 2017-12-29 发布 2018-07-01 实施 GB/T 35307—2017 ■1Z■ —1— 刖 百 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限 公司、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、陕西 天宏硅材料有限责任公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司。 本标准主要起草人:刘晓霞、蒋立民、付治栋、鲁文锋、贺东江、李明峰、李咸江、银波、宗冰、程凤伶、 夏进京、张雪園、尹敏、秦榕。 T GB/T 35307—2017 流化床法颗粒硅 1范围 本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运 输、贮存、质量证明书和订货单 （或合同）内容。 本标准适用于以硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中族杂质含量的测试方法 GB/T 31854 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T 35309 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程 ISO 13322.2 粒度分析-图像分析法 第2部分：动态图像分析方法（Partical size analysis-image analysis methods- Part 2 : Dynamic image analysis methods） 3术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4要求 4.1牌号 颗粒硅的牌号表示按GB/T 14844的规定，可表示为： -psi-G-a-a I表示用途,E表示电子级,S表示太阳能级 颗粒硅等级,特级用“T”表示，其他用阿拉伯数字表示 表示颗粒状 表示多晶硅 表示主产方法，G表示硅烷法 4.2技术指标 颗粒硅的等级及相关技术指标要求应符合表1的规定。