电子束直接光刻技术.pptVIP

电子束曝光技术 微电子技术的发展趋势表明，90年代末是亚微米、深亚微米蓬勃发展并广泛应用的时代，下一世纪将是纳米结构加工时代，而电子束曝光技术正是亚微米、深亚微米和纳米加工的核心技术。 定义：电子束曝光是利用电子束在涂有感光胶的晶片上直接描画或投影复印图形的技术 特点:分辨率高、图形产生与修改容易、制作周期短。 分类：扫描曝光和投影曝光两大类 其中扫描曝光系统是电子束在工件面上扫描直接产生图形，分辨率高，生产率低。投影曝光系统实为电子束图形复印系统，它将掩模图形产生的电子像按原尺寸或缩小后复印到工件上，因此不仅保持了高分辨率，而且提高了生产率。 发展动态 　　电子束曝光技术，在LSI的制版和军事微电子的应用领域，早在70年代末就已达到实用化阶段，此后就不断全面地取代了光学图形发生器。 美国ETEC的光栅扫描机MEBESIII、MEBES?IV机，在商业方面最为成功，在全世界销量最多； 日本的NTT公司的EB-60型电子束曝光机，是一种可变形电子束曝光机，以专用于制造掩模版(80片/h ?0.8μm)； 英国Leica剑桥仪器公司，生产高斯圆形电子束、矢量扫描机型，供应欧、美市场，大量用于亚微米、深亚微米和纳米加工. 从1991年开始，美国IBM的沃森研究中心，着手研究未来系统，即“微光柱系统”，预计在下一个世纪初用于纳米结构的微电路生产。 随着微细加工的发展，电子束曝光