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3）缺陷浓度与温度有关； 4）都是半导体。 两大类半导体材料： 掺杂半导体：如Si、Ge中掺杂B、P，Si中掺P为n型 半导体； 非化学计量化合物半导体 金属离子过剩（n型）：负离子缺位和间隙正离子 负离子过剩（p型）：正离子缺位和间隙负离子 一、由于负离子缺位，使金属离子过剩 如TiO2-x， ZrO2-x，产生原因是环境中缺氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出现了氧空位。 缺陷反应方程式应如下： 根据质量作用定律，平衡时，[e]=2[ ] ： 1）∴TiO2的非化学计量对氧压力敏感，在还原气氛中才能形成TiO2-x。烧结时，氧分压不足会导致 升高，得到灰黑色的TiO2-x，而不是金黄色的TiO2。 2） ， 电导率随氧分压升高而降低。 3）若PO2不变，则 图3-4-1 TiO2-x结构缺陷示意图（I） 色心、色心的产生及恢复 “色心”——由于电子补偿而引起的一种缺陷。 F-色心：负离子空位＋电子 X、γ、中子或电子射线辐照某些晶体会产生颜色。 原因：由于辐照破坏晶格，产生了各类点缺陷。为在缺陷区域保持电中性，过剩电子或电子空穴处于缺陷位置上。点缺陷上的电荷具有一系列分离的允许能级，相当于在可见光谱区域的光子能级，能吸收一定波长的光，使材料呈现某种颜色。 把经辐照而变色的晶体加热，能使缺陷扩散掉，使辐照破坏得到修复，晶体失去颜色。 二、由于间隙正离子，使金属离子过剩 如 Zn1+xO、Cdl+xO，过剩金属离子进入间隙位置，带正电；为了保持电中性，等价电子被束缚在间隙位置金属离子周围，也形成一种色心（间隙正离子＋电子）。ZnO在锌蒸汽中加热，颜色会逐渐加深，就是形成这种缺陷的缘故。 由于间隙正离子，使金属离子过剩型结构（II） （2）单电荷间隙模型，若Zn离子化程度不足，可有 则：[Zni··]=[e]， 同时进行氧化反应： 则，Zn完全电离时： Zn不完全电离时： 三、由于存在间隙负离子，使负离子过剩 目前只发现UO2+x，可看作U2O8在UO2中的固溶体。当在晶格中存在间隙负离子时，为了保持电中牲，结构中引入电子空穴，相应的正离子升价，电子空穴在电场下会运动，为P型半导体。 由于存在向隙负离子，使负离子过剩型结构（III） 对于UO2+x中的缺焰反应可以表示为： 等价于： 根据质量作用定律 又 [h·]=2[Oi] 由此可得： [Oi]∝PO21/6。 四、由于正离子空位的存在，引起负离子过剩 如Cu2-xO、Fe1-xO 以FeO为例： 等价于： 即铁离子空位带负电，为保持电中性，两个电子空穴被吸引到空位周围，形成一种V-色心（正离子空位＋电子空穴）。 根据质量作用定律 [OO]≈1 [h·]=2[VFe] 由此可得： [h·]∝PO21/6 随着氧压力的增大，电子空穴浓度增大，电导率也相应增大。 由于正离子空位的存在，使负离子过剩型结构缺陷（IV） 【小结】（1）非化学计量缺陷浓度与气氛性质及分压大小有关，这是其他缺陷最大不同之处； （2）其缺陷浓度也与温度有关，可从平衡常数K与温度关系中反映。以哲学观点看问题，世界上所有化合物都是非化学计量，只是程度不同而已。 资源加工与生物工程学院 第三章 晶体结构缺陷——3.4 非化学计量化合物 * Chapter 3 Crystal Structure Defect 3.1 晶体结构缺陷的类型 3.2 点缺陷（point defect） 3.3 固溶体（solid solution） 3.4 非化学计量化合物 （nonstoichiometric compound） 3.5 线缺陷（line defect） 3.6 面缺陷（face defect） 非化学计量化合物：实际化合物中负离子与正离子的比例不符合定比或倍比定律的化合物。 特点： 1）