第一章半导体二极管.docVIP

第一章 半导体二极管 一、单选题 3K12VVA 3K 12V V A B 15V A V导通，VAB=0V。 B V导通，VAB=15V。 C V截止，VAB=12V。 D V截止，VAB=3V。 2. 在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 SKIPIF 1 0 4. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID IZ且ID IZM C. IZ ID IZM D. IZ ID IZM 5. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 6. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 7. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 8. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 9．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　 　） A.10V B.10 SKIPIF 1 0 V ??? C. 10/ SKIPIF 1 0 V D.20V 10．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( ) A.24V B.18V C.9V D.28.2V 11．两个硅稳压管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（ ）。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 12. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 13.如图，V为理想二极管 （ ） 3K 3K V 12V A B 6V A． V截止，VAB=12V。 B． V导通，VAB=6V。 C． V导通，VAB=18V。 D． V截止，VAB=0V。 二、判断题 1. 二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 （ ） 2. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。 （ ） 3. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （ ） 4. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 5. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） 6.变压器中心抽头式全波整流电路， 二极管承受的反向峰值电压为 SKIPIF 1 0 V2 。（ ） 7．电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。（ ） 8．电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。（ ） 9.稳压二极管一般工作在反向击穿区。（ ） 10.稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。（ ） 11.稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。 （ ） 12.单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。（ ） 13.选择整流二极管主要考虑两个参数：反向击穿电压和正向平均电流。（ ） 14.单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。（ ） 15.单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的2倍。（ ） 三、填空题 1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，