GB/T 4059-2018硅多晶气氛区熔基磷检验方法.pdf

ICS 77.040 H 17 £3© 中华人民共和国国家标准 GB/T 4059—2018 代替 GB/T 4059—2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere 2018-12-28 发布 2019-11-01 实施 发布 GB/T 4059—2018 ■ r ■ —— 刖 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 4059—2007«硅多晶气氛区熔基磷检验方法》 ，与GB/T 4059—2007相比，除编 辑性修改外，主要技术变化如下： ——基磷含量的测定范围由 “0.002 X 10^〜100 X 10-9 ”修改为“0.01 X 1013 cm-： ； 〜500 X 1013 cm^： i ” （见第1章,2007年版的第1章）； 一调整了规范性引用文件，删除了 GB/T 1553、GB/T 1554,GB/T 1555. GB/T 13389,增加了 GB/T 1550 、GB/T 4060 、GB/T 4842 、GB/T 8979 、GB/T 11446. 1—2013, GB/T 24574、 GB/T 24581 、GB/T 25915.1—2010（见第 2 章,2007 年版的第 2 章）； ——修改了样芯的定义，删除了 “空心钻头” （见3.3,2007年版的3.3）； 修改了方法A和方法B的方法原理表述（见4.1.4.2,2007年版的4.1,4.2）； -干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为“不低于GB/T 25915.1-2010规定的6级洁净环 境” ［见5.3,2007年版的第5章c）］； -干扰因素中增加了样品处理过程、区熔速度、硅芯等3项对测试结果有影响的因素（见5.4、 5.6、5.7）； -删除了干扰因素中关于区熔后硅单晶棒、测试环境的要求 ［见2007年版的第5章f） 、第5章 g）］; ——修改了试剂和材料中去离子水 、氮气的要求 （见6.3.6.4,2007年版的6.3 、6.5）； ——试剂和材料增加了氮气的要求 （见6.5）； -修改了试剂和材料中籽晶的要求，由“ 型电阻率不低于500 £1 • cm的籽晶”修改为 “籽晶应为 无位错的N型 〈111〉高阻硅单晶，且施主杂质含量（原子数）小于2.5X1012 cm-3，碳含量 （原子 数）小于5X1015 cm-3,晶向偏离度小于5° ”（见6.6,2007年版的6.1）； ——对仪器设备中的 “取芯设备”增加了要求 ［见7.1,2007年版的第7章a）］； ——“真空内热式区熔炉”改为 “内热式区熔炉” ［见7.5,2007年版的第7章d）］； -仪器设备中增加了超声清洗设备、氮气与氮气纯化装置、导电类型测试仪、两探针电阻率测试 仪、低温红外光谱仪或光致发光光谱仪 （见7.3、7.6、7.7、7.8、7.9）； -删除了定性滤纸、真空吸尘器、洁净室专用的手套等实验室常用材料