GB/T 4060-2007硅多晶真空区熔基硼检验方法.pdf

ICS 77. 040. 01 H 17 OB 中华人民共和国国家标准 GB/T 4060—2007 代替 GB/T 4060— 1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法 Polycrystalline silicon —Examination method — Vacuum zone-melting on boron 2007-09-11 发布 2008-02-01 实施 发布 GB/T 4060—2007 -1.Z- —1— 刖 本标准是对国家标准GB/T 4060 —1983 《硅多晶真空区熔基硼检验方法》的修订。 本标准与GB/T 4060— 1983相比，主要变动如下： ——检测杂质浓度范围扩大为0.002X10^〜100X10-； ——增加了 “规范性引用文件” 、 “术语” 、 •允许差” 、“计算”； ——将原标准中的第5章 “检验条件”修订为 “干扰因素”； -将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5 mm,距多晶硅棒底部不低于50 mm； -将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15 mm~20 rmn,长度为180 mm„ 本标准自实施之日起 ，同时代替GB/T 4060— 1983 o 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：峨眉半导体材料厂。 本标准主要起草人：罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 4060— 19830 T GB/T 4060—2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法 1范围 本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：O. OO2X1OT〜100X1CT。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/T 1551硅、错单晶电阻率测定直流两探针法 GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T 13389掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T 14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T 14264确立的下列术语和定义适用于本标准。 3. 1 硅芯 slim rod 小直径硅棒，用以提供多晶沉积的基体。 3.2 生长层 growth layer 在硅芯上沉积生长的多晶硅层。 3. 3 样芯 sample core 用空心钻头，从多晶棒上钻取的圆柱体。 3.4 控制棒 control rod 从有均匀沉积生长层的已知其硼含量的多晶棒上取得的多晶硅圆柱体。 4方法提要 在真空度不低于1. 33X10 Pa,以