GB/T 4059-2007硅多晶气氛区熔基磷检验方法.pdf

ICS 77. 040. 01 H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T 4059—2007 代替 GB/T 4059— 1983 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 Polycrystalline silicon —Examination method —Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere 2007-09-11 发布 2008-02-01 实施 发布 GB/T 4059—2007 -1.Z- —1— 刖 本标准是对GB/T 4059— 1983«硅多晶气氛区熔基磷检验方法》的修订 。本标准修改采用了 ASTM F 1723— 1996 《用悬浮区熔法晶体生长和光谱学方法评价多晶硅棒的标准》。 本标准与ASTM F 1723-1996的一致性程度是修改采用，其差异如下： -删去了 ASTM F 1723-1996第9章 “危害” ，因此，使用本标准时应建立相应的安全操作规范； -删去了 ASTM F 1723-1996第5章 “意义和用途” 、第10章10. 2. 3条 “垂直取芯” 、第15章 “关键词”。 本标准与原标准相比，主要变化如下： 检测杂质浓度范围扩大为0. 002 ppba 〜100 ppba； -采用ASTM F 1723-96规定的施主杂质测量范围替代原GB/T 4059— 1983的测量范围； -依据ASTM F 1723-96增加了用低温红外光谱和荧光光谱分析法测量样品中的磷杂质含量的 方法； ——增加了 “规范性引用文件” 、 “术语” 、 “允许差” 、 “计算”； ——删去了原标准中的附录A； ——将原标准中的第5章 “检验条件”修订为 “干扰因素”； —将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5 mm,距多晶硅棒底部不低于50 mm； 将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15 mm 〜20 mm 、长度为180 mm； ——将原标准中的 “检验结果尺寸”修订为10 mm~15 mmo 本标准自实施之日起，同时代替GB/T 4059— 1983O 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：峨眉半导体材料厂。 本标准主要起草人：罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 4059— 1983O T GB/T 4059—2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 1范围 本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：O. 002X10 9〜1OOX1CF 。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。