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第八章 磁电传感器 本章主要学习霍尔传感器 、 磁敏电阻、磁敏二极管、磁敏三极管。 8.1 霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KH IB 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为 EH=KHIBcos? 霍尔元件的主要外特性参数 最大磁感应强度BM 最大激励电流IM : 霍尔元件连接方式和输出电路 1.基本测量电路 在测量中，可以把电流I、磁场强度B或者IB作为输 入信号，来测量输出电势。 2.连接方式 a.直流供电。控制电流并联，由W1、W2调节两个元件的输出 霍尔电势，A、B为输出端，则它的输出电势为单块的两倍。 b.交流供电。控制电流串联，各元件输出端接输出变压器B的 初级绕组，变压器的次级便有霍尔电势信号叠加值输出。 3.霍尔电势的输出电路 作线性测量时，最好选灵敏度低一点、不等位电势小、 稳定性和线性度优良的霍尔元件。 作开关使用时，要选择灵敏度高的霍尔元件。 见书中两例。 四、霍尔元件的测量误差和补偿方法 造成测量误差的主要因素有两类：半导体的固有特 性；半导体制造工艺的缺陷。其表现为零位误差和 温度引起的误差。 1.零位误差及补偿方法 在加控制电流但不加外磁场时出现的霍尔电势称为 零位误差。 制造工艺问题造成的不等位电势是主要的零位误差。 如图a，当控制电流I流过时，即使未加外磁场， A，B两电极此时仍存在电位差，此电位差称 为不等位电势U0。 可以把霍尔元件等效为一个四臂电桥，如图b 几种常用的补偿方法。 2.温度误差及其补偿 因为半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度等都随温度变化而变化，因此，会导致霍尔元件的内阻、霍尔电势等也随温度而变化，这种变化的程度随不同半导体材料有所不同。温度高到一定程度时，产生的变化相当大。 常采用的补偿电路有： （1）利用输出回路并联电阻进行补偿 补偿电阻RL上电压随温度变化最小的极值条件为： 利用输入回路的串联电阻进行补偿 霍尔传感器的应用 霍尔电势是关于I、B、? 三个变量的函数，即 EH=KHIBcos? 。利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。 霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。 霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。 霍尔式接近开关 当磁铁的有效磁极接近、并达到动作距离时，霍尔式接近开关动作。霍尔接近开关一般还配一块钕铁硼磁铁。 霍尔式接近开关 用霍尔IC也能完成接近开关的功能，但是它只能用于铁磁材料的检测，并且还需要建立一个较强的闭合磁场。 霍尔式接近开关用于转速测量演示 开关型霍尔IC 8.2.4 磁敏传感器的应用 磁敏电阻：半导体材料的电阻率随磁场强度的增强而变大，这种现象称为磁阻效应，利用磁阻效应制成的元件称为磁敏电阻。 磁阻式电子罗盘 磁敏电阻IC及其应用 磁敏电阻的应用 利用磁敏电阻制作小型探矿仪（磁力仪） 磁敏电阻 （聚四氟乙烯封装） 磁敏电阻小型探矿仪 上海直川信息技术有限公司研制的磁阻探矿仪及数据统计曲线图 磁阻IC用于转速测量 磁力线集中 磁阻IC用于笔式验钞器 验钞笔顺着纸币上的磁性防伪线扫描 线性磁阻位置传感器 根据铁磁物体对地磁的扰动，可检测车辆的存在，可用于包括自动开门，路况监测，停车场检测，车辆位置监测，红绿灯控制等。 磁力