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第第一章章 半导体器件概述半导体器件概述 1.11.1 PNPN结及二极管结及二极管 1.2 半导体体三极管管 1.3 半导体场效应管 1.4 集成运算放大器 2012-2-26 1 11..11 PNPN结及结及二极管极管 1.1.1 半导体及PN结 1.1.2 二极管的基本特性 11..11..33 二极管的主要参数及电路模型极管的主要参数及电路模型 1.1.4 特殊二极管 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导 体体、绝缘体和半导体绝缘体和半导体。 -3 9 半导体的电阻率为10 ～10 Ω。典型的半导体 有硅Si和锗Ge 以及砷化镓GaAs等。 特点特点:导电能力可控导电能力可控((受控于光受控于光、热热、杂质等杂质等)) 2012-2-26 2 11.11.11 半导体及半导体及PNPN结结 1.本征半导体本征半导体 (1)本征半导体的共价键结构 ((2))电子空穴对电子空穴对 ((3))空穴的移动 本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 99.9999999%，常称为“九个9” 。 它在物理结构上呈单晶体形态它在物理结构上呈单晶体形态。。 2012-2-26 3 (1）本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的 四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原 子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这 些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排 列有序有序的晶体体。 这种结构的立体和平面示意图见图01.01 。 (c) ((a)) 硅晶体的空间排列硅晶体的空间排列 (b)(b) 共价键结构平面示意图共价键结构平面示意图 2012-2-26 图01.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 4 （（22 ））电子空穴对电子空穴对 当导体处于热力学温度0K 时，导体中没 有自由电子有自由电子。当温度升高或受到光的照射当温度升高或受到光的照射 时，价电子能量增高，有的价电子可以挣 脱原子核的束缚脱原子核的束缚，而参与导电而参与导电，成为成为 自由自由 电子。 这一现象称为象称为本本征激发，也称也称热热激发。 自由电子产自由电子产生的同时的同时，在其原来的共价在其原来的共价 键中就出现了一个空位，原子的电中性被破 坏坏，，呈现出正电性呈现出正电性，，其正电量与电子的负电其正电量与电子的负电 量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为 空穴。 2012-2-26 5