Carleman估计在半导体Doping+Profile反演问题上的应用.pdfVIP

摘要 本文主要研究了半导体Doping 系统建立了全局Carleman估计，并且用此估计得到了可反演性的结果。我们得 Profile是Lipschitz连续依赖于相应的边界和中端测量值。在 到的结果是Doping 求解此反问题时，我们使用先验分布为全变差的贝叶斯推断。本文将提供N—P 二极管的数值反演的结果。 关键词：Doping 马尔可夫链蒙特卡罗方法；全变差 中图法分类号：029 万方数据 Abstract ofthisworkisto the ofthe fromad— Subject studyidentifiabilitydopingprofile fortransientDrift— measurements．ACarlemanestimateiSestablished ditional global diffusionandusedfortheidentification ofthe system problem．Lipschitzstability usea on andmid—timemeasurementsisderived．We boundary Bayesian dopingprofile nu— to thisinverse of withTotal solve problem．Results approach Variation(TV)priors mericalsimulationsforanN—P diodeare bipolar presented． of sys。· Keywords：Identificationdoping Variation tem；CarlemanEstimates；MCMCmethod；Total Chinese ClassificationNumber：029 Library lll 万方数据 第一章弗一早 与I苗引言 在对半导体设备的建模中，Drift—diffusion系统已经被长期使用。此模型 能较好地反映半导体的物理特性，且能够用于有效的数值模拟。Drift—diffusion 系统由Van Roosbroeck于1950年提出，后来有大量的关于此模型的文献。 diffusion系统的导出和性质的介绍，请参考文献【39][41】。本文所研究的反问题 均基于此Drift—diffusion系统模型。值得指出的