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例 如图平行板电容器充电后,分别在下列两种情况下将一块与极板面积相同的各向同性均匀介质板平行插入两极之间,试讨论电容器储能将如何变化:(1)断开电源;(2)保持与电源连接。 -*- 课程小结: 一、气体动、热力学 1. 理想气体模型及平衡态 2. 理想气体状态方程: 3. 压强公式: 温度公式: 方均根速率: 平均自由程: 5. 平均碰撞频率: 4. 三种分子速率: 6. 三个过程参量: ▲ 功 W: ▲ 热量Q: ▲ 内能增量 △E: 定体过程: 定压过程: 等温过程: 7. 绝热过程: 绝热过程的功: 7. 卡诺循环: 8. 热力学第二定律 表述(略) ;熵增加原理(略)。 二、静电场及静电场中的导体与电介质 1. 库仑定律 2. 电场强度及叠加原理: 或 常见带电体的电场强度分布(略) !! 3. 电场线模型:电场线密集的地方 E 大。 电通量: 4. 高斯定理: 掌握球对称、柱对称、面对称场分布特点及计算 !! 5. 电势、电势能及电势差 ( Vb=0 电势零点 ) 电 势 : 电势能 : 电势差 : 掌握常见的带电体的电势分布: 如均匀带电球面、 均匀带电柱面等。 电场力作功 : 6. E、V 关系: 电场线与等势面处处垂直。 电势梯度指向电势升高的方向; 电场强度指向电势降低的方向。 三类问题:球/板/柱类导体存在时E、V 计算。 7. 静电场中的导体 静电平衡条件及特点(略); 导体表面处电场强度: 有导体存在时的 q、E、V 计算: 静电屏蔽; 8. 静电场中的电介质 电极化强度: 极化电荷面密度: D的高斯定理: 由自由电荷的分布 介质中D 、E关系: 介质中场问题的计算: 孤立导体的电容: 电容器的电容: 9. 电容 常见的电容器的电容: 10. 电场能量及电容器储能 静电场能量密度: 静电场能量: 电容器储能: 三、稳恒电流、稳恒磁场及磁介质 1. 稳恒电流 微分形式的欧姆定律: 或 毕-萨定律: 2. 稳恒磁场 方向? 掌握常见载流导体的磁场强度分布!! 如∞载流直导线、 ∞载流圆柱导体(圆柱壳)、载流园线圈、载流圆弧、螺线管、螺绕环等。 磁感应线:线密度∝B的大小 磁通量: 安培环路定理: 洛沦兹力: 霍尔效应: ( 会由I 的B 方向EH方向....! ) 安培定律: 磁力矩: 其中 ( 磁偶极矩或磁矩 ) 3. 磁介质 顺磁质:介质内B B0 ; 抗磁质:介质内B B0 ; 铁磁质:介质内B B0 ; 磁化强度: M与磁化电流的关系: H 的安培环路定理: H、B、M 间的关系: 例 如图所示,一定量的理想气体,从A态经历绝热自由膨胀到达B态,已知DV=1/2,试分析DP、 DT 和DS是大于、小于还是等于零? A态 真空 T1 T2 B态 解: E1 = E2 热一律 器壁绝热: Q = 0 向真空膨胀:W = 0 由状态方程知: △P<0 ∵A B过程为孤立系统自然过程 ∴由熵增加原理知: △S>0 The End T1 = T2 , △T = 0 例 球形电容器内外半径分别为 R1 、R2 ,其间充满相对介电常数为er 的各相同性均匀电介质。电容器接在电压为U的电源上。试求R处(R1RR2)的A点的电场强度及A点与外球壳间的电势差。 解:设内金属球带+Q电量,则 则电容器内部场强: 例 球形电容器内外半径分别为 R1 、R2 ,其间充满相对介电常数为er 的各相同性均匀电介质。电容器接在电压为U的电源上。试求R处(R1RR2)的A点的电场强度及A点与外球壳间的电势差。 A点与外球壳间的电势差为: The End 例 如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l (R), R1 =4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内柱 体电荷渐增,则(1)系统何处首先被击穿?此处场强为多 少? (2)击穿时两电容器内柱体所带的总电荷Q为多少? 解: (1) 设两电容器内圆柱体单位长度 分别带电 ?1、 ?2 ,则 R2 R R R1 C1 C2 C1: C2: 由图知:U1 = U2 ,则 R2 R R R1 C1 C2 例 如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l (R), R1 =4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内柱 体电荷渐增,则(1)系统何处首先被击穿?此处场强为多 少? (2)击穿时两电容器内柱体所带的总电荷Q为多少? C1内: C2内: 例 如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l (R), R1 =4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内
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