半导体材料第6讲-外延.pptVIP

半导体材料 陈易明 e-mail: mpcyjs@gdut.edu.cn 第5章 硅外延生长 只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要，1959年末开发了薄层单晶材料生长技术——外延生长。 外延生长就是在一定条件下，在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。 由于所生长的单晶层是衬底晶格的延伸，所以所生长的材料层叫做外延层。 根据外延层的性质，生长方法和器件制作方式不同，可以把外延分成不同的种类。 外延的分类 1、按外延层的性质分类 同质外延：外延层与衬底是同种材料，例如在硅上外延生长硅，在GaAs上外延生长GaAs均属于同质外延。 异质外延：衬底材料和外延层是不同种材料，例如在蓝宝石上外延生长硅，在GaAs上外延生长GaAlAs等属于异质外延。 2、按器件位置分类 正外延：器件制作在外延层上 反外延：器件制作在衬底上，外延层只起支撑作用 外延的分类 3、按外延生长方法分类 直接外延是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得足够能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长的方法，如真空淀积、溅射、升华等。但此类方法对设备要求苛刻。薄膜的电阻率、厚度的重复性差，因此一直未能用于硅外延生产中。 间接外延是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层，广义上称为化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD))。但CVD所生长的薄膜不一定是单晶，因此严格地讲只有生长的薄膜是单晶的CVD才是外延生长。这种方法设备简单，外延层的各种参数较容易控制，重复性好。目前硅外延生长主要是利用这种方法。 外延的分类 4、按向衬底输运外延材料的原子的方法不同又分为真空外延、气相外延、液相外延等。 5、按相变过程，外延又可分为气相外延、液相外延、固相外延。 对于硅外延，应用最广泛的是气相外延。 硅外延生长技术开始的时候，正是硅高频大功率晶体管制做遇到困难的时刻。 从晶体管原理来看，要获得高频大功率，必须做到集电极击穿电压要高，串联电阻要小，即饱和压降要小。前者要求集电极区材料电阻率要高，而后者要求集电区材料电阻率要低，两者互相矛盾。 如果采用将集电区材料厚度减薄的方法来减少串联电阻，会使硅片太薄易碎，无法加工。 若降低材料的电阻率，则又与第一个要求矛盾，外延技术则成功地解决了这一困难。 解决办法： 在电阻率极低的衬底上生长一层高电阻率外延层，器件制做在外延层上，这样高电阻率的外延层保证管子有高的击穿电压，而低电阻率的衬底又降低了基片的电阻，降低了饱和压降，从而解决了二者的矛盾。 外延工艺解决的问题 不仅如此，GaAs等Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族以及其他化合物半导体材料的气相外延，液相外延，分子束外延，金属有机化合物气相外延等外延技术也都得到很大的发展，已成为绝大多数微波、光电器件等制做不可缺少的工艺技术。 特别是分子束、金属有机气相外延技术在超薄层、超晶格、量子阱、应变超晶格、原子级薄层外延方面成功的应用，为半导体研究的新领域“能带工程”的开拓打下了基础。 外延生长的特点 (1)可以在低(高)阻衬底上外延生长高(低)阻外延层。 (2)可以在P(N)型衬底上外延生长N(P)型外延层，直接形成PN结，不存在用扩散法在单晶基片上制作PN结时的补偿的问题。 (3)与掩膜技术结合，在指定的区域进行选择外延生长，为集成电路和结构特殊的器件的制作创造了条件。 (4)可以在外延生长过程中根据需要改变掺杂的种类及浓度，浓度的变化可以是陡变的，也可以是缓变的。 外延生长的特点 (5)可以生长异质，多层，多组分化合物且组分可变的超薄层。 (6)可在低于材料熔点温度下进行外延生长，生长速率可控，可以实现原子级尺寸厚度的外延生长。 (7)可以生长不能拉制单晶材料，如GaN，三、四元系化合物的单晶层等。 利用外延片制作半导体器件，特别是化合物半导体器件绝大多数是制作在外延层上，因此外延层的质量直接影响器件的成品率和性能。一般来说外延层应满足下列要求： (1)表面应平整，光亮，没有亮点，麻坑，雾渍和滑移线等表面缺陷。 (2)晶体完整性好，位错和层错密度低。对于硅外延来说，位错密度应低于1000个／cm2，层错密度应低于10个／cm2，同时经铬酸腐蚀液腐蚀后表面仍然光亮。 (3)外延层的本底杂质浓度要低，补偿少。要求原料纯度高，系统密封性好，环境清洁，操作严格，避免外来杂质掺入外延层。 外延层应满足的要求 (4)对于异质外延，外延层与衬底的组分间应突变(要求组分缓变的例外)并尽量降低外延层和衬底间组分互扩散。 (5)掺杂浓度控制严格，分布均匀，使得