电子显微镜第三章衍射花样分析-2.pptVIP

* 六. 单晶电子衍射花样的分析 排列十分规则的斑点(平行四边形的周期重复) 大量强度不等的衍射斑点 * 1.单晶电子衍射花样的产生及其几何特征 O* r* r* S S0 2? * r=[uvw] O* (h1k1l1) (h2k2l2) (h3k3l3) r1* r2* r3* (uvw)0* hu+kv+lw=0 O* 零层倒易平面 (uvw)0* * 偏离矢量与倒易点阵扩展 球 盘 针状 * 厄瓦尔德球 薄晶的倒易点拉长为倒易杆产生衍射 O* r* 2? G y s0 s s-s0=r*+y G’ * 斑点花样标定可以得到如下结果：可确定斑点的晶面指数（hkl) ；晶带轴方向[uvw]；样品的结构类型；晶面间距；物相；位向；等等 主要方法： 尝试-校核法 标准衍射花样对照法 2.单晶电子衍射花样的分析 * O 尝试-校核法标定斑点花样 * 确定斑点所属的晶面族指数{hkl}; 测量不在一条直线上的衍射斑点到透射斑点之间的距离R1,R2,R3,…Rj,计算R2 以及Rj2/R12；利用R2比值递增规律确定点阵类型,以及斑点所属的晶面族指数{hkl}; h1k1l1 h2k2l2 h3k3l3 h4k4l4 R1 R2 R3 R4 O * * R12:R22:R32:….= 1/d12: 1/d22: 1/d32:… =N1:N2:N3 :…;