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第五章 场效应管及其放大电路 一、场效应管（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压uDS对漏极电流的影响 转移特性 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管(MOS管) 增强型MOS管uDS对iD的影响 (二). N沟道耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 二、场效应管静态工作点的设置方法 1. 基本共源放大电路(详见p141) 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析(静态工作点见式5.2.16) 基本共漏放大电路输出电阻的分析 四、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论一判断下列各图是否能组成复合管 讨论二 * 一、场效应管(FET) 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）， 对应于晶体管的e、b、c； 有三个工作区域：截止区(夹断区)、恒流区、可变电阻区， 对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） uGS＞UGS（off）且不变，VDS增大 iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDS的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） uGD= uGS- uDS uDS uGS- uGS(off) uDS=uGS- uGS(off) uDS uGS- uGS(off) 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区， 因而 uGS＞UGS(off) ; uDS ＞ uGS- UGS(off) 。 uGS控制d-s间的等效电阻 Rds =uDS/iD 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： uDS=uGS- uGS(off) uGS增大，反型层（N型导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 (一). N沟道增强型管 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 增强型 耗尽型 开启电压UGS(th) N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS(th) iD随uDS的增大而增大. 可变电阻区 uGD＝UGS（th）, 预夹断 uGDUGS(th) 恒流区 iD几乎仅仅受控于uGS， 刚出现夹断 uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 uGD＝uGS-UDS (uGSUGS(th) ) 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同。 由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 书中例 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源 IDO为uGS=2UGS(th) )时的ID, 从转移特性读出. 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 典型的Q点稳定电路 由上两式解得IDQ 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 见书p144式5.2.9(耗尽型)和5.2.10(增强型) 与晶体管的h参数等效模型类比： 交流等效模型 书